陈军
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区人才开发基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性被引量：3
- 2013年
- 电子的隧穿时间是描述量子器件动态工作范围的重要指标.本文考虑k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应对系统哈密顿量的修正,结合转移矩阵方法和龙格-库塔法来解含时薛定谔方程,进而讨论了电子在非磁半导体对称双势垒结构中的透射系数及隧穿寿命等问题.研究结果发现:由于k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应使自旋简并消除,并在时间域内得到了表达,导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂;不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同,这是导致自旋极化的原因之一;电子的自旋极化在时间上趋于稳定.
- 王瑞琴宫箭武建英陈军
- 关键词：自旋极化输运透射系数
- 自旋轨道耦合对声子辅助隧穿中电子跃迁几率的影响
- Rashba自旋轨道耦合后,计算了对称双势垒中声子辅助隧穿电子的跃迁几率.在AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs双势垒结构中,当入射电子态通过发射一个声子(LO声子)与阱内准束缚共振态耦合时,利用转移矩阵...
- 陈军宫箭
- 关键词：跃迁几率RASHBA自旋轨道耦合
- InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究被引量：1
- 2014年
- 在有效质量近似和绝热近似下,利用转移矩阵法研究了电子通过In As/In P/In As/In P/In As柱形量子线共振隧穿二极管的输运问题,分析和讨论了电子居留时间以及电子的逃逸过程.详细研究了外加电场、结构尺寸效应对居留时间和电子逃逸的影响.居留时间随电子纵向能量的演化呈现出共振现象;同时,结构的非对称性对电子居留时间有很大的影响,随着结构非对称性的增加,居留时间表现出不同的变化.利用有限差分方法研究了非对称耦合量子盘中电子的相干隧穿逃逸过程.
- 黎明陈军宫箭
- 关键词：量子线共振隧穿逃逸
