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BaTiO_3系PTCR粉体的制备工艺研究被引量：6: 1997年; 近年来，随着ＰＴＣＲ材料的广泛应用，对ＰＴＣＲ粉体的质量要求也越来越高，粉体的纯度、形态和粒度都是直接影响到ＰＴＣＲ材料性能的关键。目前，国内生产ＰＴＣＲ热敏电阻材料对主晶相ＢａＴｉＯ３的合成，主要采用固相法合成工艺，该方法是以ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２为主要原料，通过固相反应合成，再经球磨细碎处理。该方法工艺简单，原料易得，成本低，所制造的ＰＴＣＲ热敏电阻元件具有能承受高的电压和使用寿命长等优点，因而，国外的一些大公司如日本的ＴＤＫ公司、村田公司等也都采用此法。本文研究了不同的研磨设备和工艺条件对ＢａＴｉＯ３粉体的研磨效率、颗粒细度及其粒度分布等的影响，各种球磨设备的工艺参数比较见表１。表１各种球磨设备的工艺参数比较球磨机类型球磨子直径（ｍｍ）转速（ｒ／ｍｉｎ）峰值速度（ｒ／ｍｉｎ）普通球磨机≥Φ１２１０～５０砂磨机（卧式）Φ０．４～Φ３．２８００～１２００２０００～３０００Ａｔｒｉｔｏ搅拌球磨机Φ３～Φ９６０～３５０６００～１０００不同的研磨设备对ＢａＴｉＯ３粉体的研磨效率，不同，当能量输入为１００ｋＷ／×１０３ｋｇ时，使用Ａｔｒｉｔｏｒ搅拌球磨机所得到的平均颗粒尺寸大约自普通球磨机的一半，是震动球磨机的三分?; 周学农陈丽莎吴键赵芳李嘉; 关键词：钛酸钡热敏电阻材料粉体晶体加工

Sr: BaTiO_3铁电相变温度的形成机理被引量：4: 1997年; Ｓｒ：ＢａＴｉＯ３铁电相变温度的形成机理周学农陈丽莎赵芳吴键李嘉（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＦｏｒｍｉｎｇＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＳｒ：ＢａＴｉＯ３ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎＺｈｏｕＸｕｅｎｏｎｇＣｈｅｎ...; 周学农陈丽莎赵芳吴键李嘉; 关键词：钛酸钡晶体铁电半导体相变温度半导体

La:BaTiO_3材料的制备及其半导化机制被引量：3: 1997年; ＢａＴｉＯ３的禁带宽度为３ｅＶ，在室温下的体积电阻率约为１０１２Ω·ｃｍ，通过施主掺杂，可获得室温体积电阻率为１０２～１０５Ω·ｃｍ或更低的ｎ型ＢａＴｉＯ３半导体材料。笔者进行了在ＢａＴｉＯ３中掺Ｌａ材料的制备，并探讨了其半导化的形成机制。材料的制备工艺是采用固相反应法，所用原料Ｌａ２Ｏ３为光谱纯，ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２和Ａｌ２Ｏ３为分析纯，材料配方组分为：ＢａＴｉＯ３＋ｘＬａ２Ｏ３＋１．０ｗｔ％ＡＳＴ（１／３Ａｌ２Ｏ３·３／４ＳｉＯ２·１／４ＴｉＯ２），ｘ＝０．０～０．００５，经配料、研磨、烘干，１１００～１１５０℃下２ｈ合成，二次球磨，采用ＰＶＡ结合剂造粒，在１００ＭＰａ压力下成型，并以适当的升、降温速率在１３００～１３５０℃／１ｈ烧结后，所得瓷片，经两面研磨、涂覆Ｉｎ－Ｇａ电极，进行电性能测试。从测试结果可明显看出Ｌａ掺杂浓度对ＢａＴｉＯ３的体积电阻率影响很大，开始时，随着Ｌａ的加入量增加，ＢａＴｉＯ３的电阻率逐渐降低，当加入量在０．２ｍｏｌ％附近时，电阻率达到最低值；尔后，随着Ｌａ的增加，其电阻率逐渐升高；当Ｌａ的加入量超过０．３５ｍｏｌ％后，随着Ｌａ的增加，电阻率升高速率加快。随着Ｌａ的含?; 周学农陈丽莎赵芳吴键李嘉; 关键词：钛酸钡晶体体积电阻率

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陈丽莎

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