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阮华棚
作品数:
9
被引量:3
H指数:1
供职机构:
山东大学
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相关领域:
理学
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
施琼
山东大学物理学院晶体材料国家重...
王善朋
山东大学物理学院晶体材料国家重...
陶绪堂
山东大学物理学院晶体材料国家重...
张国栋
山东大学物理学院晶体材料国家重...
蒋民华
山东大学
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机构
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山东大学
作者
9篇
阮华棚
8篇
张国栋
8篇
陶绪堂
8篇
王善朋
8篇
施琼
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蒋民华
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人工晶体学报
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2013
3篇
2012
5篇
2011
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磷硅镉单晶的生长方法
本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料合成磷硅镉多晶料,采用坩埚下降炉,通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括:将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中,或者加入籽晶后再装入坩埚中;将坩...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
P族多元化合物双温区合成容器及装置
本实用新型涉及一种P族多元化合物的双温区合成容器及装置,合成容器由可真空密封的石英管和料舟组成。石英管为一端封口的厚壁石英管,距封口端依次设有石英挡板a和石英挡板b。石英管的开口端有便于真空封结的石英销。合成装置包括合成...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置
本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置,将单质原料按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料,将磷放入双温区石英管的一端,将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端,将双温区石英管抽真空后封结;分别使双温区炉的两...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
磷硅镉单晶的生长方法
本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料合成磷硅镉多晶料,采用坩埚下降炉,通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括:将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中,或者加入籽晶后再装入坩埚中;将坩...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置
本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置,将单质原料按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05配料,将磷放入双温区石英管的一端,将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端,将双温区石英管抽真空后封结;分别使双温区炉的两...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅镉多晶料的合成方法
本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法,按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05摩尔比,将纯度为99.999%的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中,将合成坩埚装入石英管中;抽真空后封结石英管;将石英管装入单温区合成炉中,使单温区炉...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
蒋民华
文献传递
磷硅化合物合成、晶体生长及性能表征
磷硅化合物是一类晶体结构非常丰富的材料。到目前为止,研究工作主要是磷硅化合物的合成和结构表征,而对磷硅化合物的体块晶体生长和性能方面的研究还很少。开展磷硅化合物多晶合成、体块晶体生长以及性能表征,对探索其潜在的应用具有重...
阮华棚
关键词:
固相合成
晶体生长
文献传递
新型红外非线性光学晶体LiGaTe_2的多晶合成与晶体生长
被引量:3
2011年
采用直接合成方法无法得到纯相的碲镓锂(LiGaTe2)多晶原料,因此提出了两步合成法进行LiGaTe2多晶原料合成,即先合成二元相Ga2Te3,再以Ga2Te3、Li、Te为原料按化学计量比配料在较低温度(850℃)下合成纯相的碲镓锂多晶料,并对具体的反应机理进行了讨论。对所得碲镓锂多晶料进行了XRD分析,结果显示合成的多晶为单相高纯LiGaTe2。差示扫描量热分析(DSC)表明,LiGaTe2的熔点为674.78℃。初步开展了LiGaTe2晶体的生长研究,对晶体生长结果进行了探讨。
王善朋
刘贯东
施琼
张国栋
阮华棚
高泽亮
董春明
陶绪堂
关键词:
多晶合成
晶体生长
磷硅镉多晶料的合成方法
本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法,按硅∶镉∶磷=1∶1∶2~2.05摩尔比,将纯度为99.999%的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中,将合成坩埚装入石英管中;抽真空后封结石英管;将石英管装入单温区合成炉中,使单温区炉...
陶绪堂
张国栋
王善朋
施琼
阮华棚
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