钟康游
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
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- Si中30度部分位错弯结运动特性的分子模拟被引量：2
- 2008年
- 首先使用分子动力学方法(MD)得出了左弯结(LK)和右弯结(RK)在不同温度和剪应力作用下的速度特性和运动过程.然后利用基于紧束缚势(TB)的nudged elastic band(NEB)方法计算LK和RK的迁移势垒.由计算结果得出,单个LK或RK的势垒很高,运动速度相对较慢;LK中的多弯结对结构和由RK分解产生的右弯结-重构缺陷(RC)能够加速位错运动;其中,RC能促进30°部分位错更快地迁移.
- 王超营孟庆元李成祥钟康游杨志伏
- 关键词：分子动力学NEB
- 硅中shuffle型60°位错演化的分子模拟
- Si与Si基材料是半导体微电子工业中的主要原料。而半导体材料在制备、加工的过程中不可避免地会引入各种结构缺陷,其中最重要的一种缺陷是位错。一方面,位错的存在将在能带隙中引入一系列连续的能级,阻碍载流子的运动,增加了器件的...
- 钟康游
- 关键词：硅基材料第一性原理分子模拟
- 文献传递
- 位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响
- 2006年
- 为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.
- 杨立军孟庆元李成祥钟康游果立成
- 关键词：位错运动分子动力学
- Si晶体中60°位错运动的分子动力学研究被引量：2
- 2006年
- 在S i晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahm an方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和剪应力作用下的运动特性。观察到了位错速度与剪应力成正比关系;而温度对位错速度的影响,随着外加剪应力的不同呈现出三种趋势:(1)低剪应力作用下,位错速度与温度成正比关系;(2)剪应力达到0.6GPa附近时,位错速度与温度呈反比关系,声子拖动效应开始起作用;(3)当剪应力达到2GPa时,位错速度稳定在某一特定值,不再明显随温度的变化而变化。
- 杨立军孟庆元李根李成祥钟康游
- 关键词：分子动力学模拟
- 硅中SHU?E型60?位错演化的分子模拟
- SI与SI基材料是半导体微电子工业中的主要原料。而半导体材料在制备、加工的过程中不可避免地会引入各种结构缺陷，其中最重要的一种缺陷是位错。一方面，位错的存在将在能带隙中引入一系列连续的能级，阻碍载流子的运动，增加了器件的...
- 钟康游
- 关键词：SI分子模拟
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