金子正治
- 作品数：6 被引量：33H指数：4
- 供职机构：静冈大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅资助项目国家留学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>
- FeS_2/TiO_2复合薄膜光电性能被引量：1
- 2007年
- 采用溶液浸渍法在ITO导电玻璃表面的多孔TiO2薄膜上沉积了FeS2薄膜。使用Fe2O3粉末保护裸露在外的ITO导电膜在硫气氛中热处理后,制得了FeS2/TiO2复合薄膜。应用B531/H数显测厚指示表、数字式四探针测试仪、XJCM-8太阳电池测试仪等研究了FeS2/TiO2复合薄膜的厚度、ITO导电玻璃的电阻率以及FeS2/TiO2复合薄膜的光电性能。结果表明:此方法制得的FeS2/TiO2复合薄膜具有良好的光电性能;且ITO导电膜的电阻率变化较小。因而适宜制备色素增感太阳能电池(DSSC)。
- 张晨宁胡志强刘丽红于仙仙高岩金子正治奥谷昌之
- 关键词：溶胶凝胶法
- 掺杂Fe^(2+),Bi^(3+),Cu^(2+)的PZT陶瓷低温烧结被引量：10
- 2000年
- 在利用水热法合成的粉体低温烧结PZT[Pb(Zr0 .5 3TiO0 .47)O3]陶瓷中 ,掺杂了Fe2 + ,Bi3+ ,Cu2 + 等无机化合物 ,使PZT陶瓷在 85 0℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。压电性能测定表明 ,其Kp值变化不大 ,而Qm值有较大提高。
- 胡志强奥谷昌之金子正治
- 关键词：锆钛酸铅陶瓷PZT陶瓷助剂
- FTO/ITO复层导电薄膜的研究被引量：13
- 2005年
- 采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。
- 胡志强张晨宁丘鹏刘俐宏奥谷昌之金子正治
- 关键词：溶胶-凝胶法透光率
- Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3陶瓷超细粉体制备及分散研究
- 2004年
- 用化学共沉淀法合成了陶瓷Pb(Zr0.53Ti0.47)O3超细粉体,以聚乙二醇(PEG)为分散剂对所得粉体进行分散。通过X衍射、扫描电镜分析,研究了合成条件和煅烧温度对PZT粉体性能的影响。结果表明,随着煅烧温度的升高,PZT超细粉晶化度提高,一次晶粒尺寸增加,而二次粒子尺寸却减小。当分散剂分子量为10000,用量为1%时,得到分散良好的超细粉体。测定了用合成的粉体烧结的PZT陶瓷的压电性能。
- 胡志强奥谷昌之金子正治
- 关键词：超细粉体煅烧温度陶瓷PZT
- 低温烧结用PZT粉体水热合成被引量：5
- 2001年
- 水热合成了低温烧结用PZT粉体。合成时添加Fe+ 2 ,Bi+ 3 ,Cu+ 2 等离子化合物 ,生成粉体中外加微量Ba(Cu0 .5W0 .5)O3 ,经X -ray,SEM ,TG -DTA及比表面积的测定 ,表明当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h,反应温度 2 0 0°C时 ,合成的粉体中PZT微晶子已大量生成。PZT陶瓷在 850°C温度下烧成 ,密度可达理论值 98%。并对其压电性能进行了测定 ,结果证实 ,微量烧结助剂的添加除有效地降低烧结温度外 ,使Qm 值提高 ,而Kp值有所下降。。
- 胡志强奥谷昌之金子正治
- 关键词：水热合成锆钛酸铅
- 水热条件对易烧结PZT粉体合成的影响被引量：4
- 2000年
- 用水热法合成了低温烧结用PZT[Pb(Zr0 .5 3 TiO0 .47)O3]粉体。探讨了水热条件对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Fe2 + ,Bi3 + ,Cu2 + 等离子化合物 ,经X ray,SEM ,TG DTA及比表面积的测定 ,表明 :当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h ,反应温度 2 0 0℃时合成后的粉体有良好的烧结性。粉体中外加了微量BCW[Ba(Cu0 .5 W0 .5 )O3] ,使PZT陶瓷在 850℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。
- 胡志强奥谷昌之金子正治
- 关键词：水热合成PZT陶瓷促进剂压电性能
