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邬祥生

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇调制
  • 4篇调制器
  • 3篇相位
  • 3篇相位调制
  • 3篇相位调制器
  • 3篇半导体
  • 3篇INGAAS...
  • 2篇导体
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇液相外延
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇溶液法
  • 1篇通信
  • 1篇量子
  • 1篇可集成
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光通信
  • 1篇反馈激光器

机构

  • 4篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇邬祥生
  • 2篇李允平
  • 2篇吕章德
  • 2篇陈建新
  • 2篇周萍
  • 2篇吴学海
  • 1篇王志忠

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光通信研究
  • 1篇半导体光电
  • 1篇高速摄影与光...

年份

  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
液相外延生长InGaAsP超薄层
1993年
本文叙述了600℃低温液相外延和两相溶液法生长InGaAsP/InP超薄层及其特性研究。四元外延层的厚度、光荧光峰值半宽、过渡区陡度分别为～63nm,22.8meV,～11nm。四元层与衬底间失配度为+0.3‰。
王志忠邬祥生周贵德
关键词：液相外延半导体薄膜
可集成的高效率InGaAsP相位调制器
1990年
GaAs-AlGaAs和InGaAsP-InP体系光电波导调制器已日益引起人们的兴趣。预计它们可以用于高速光通信,相干光通信和激光陀螺。 本文报道一种用耗尽边带传输加反向偏压p-n结结构的高效InGaAsP/InP相位调制器。该调制器用液相外延、湿法腐蚀和常规工艺制备。这种波导禁带波长1.3μm的调制器在1.52μm波长观察到很大的相位移效率,对TE模和TM模来说分别为60°/V·mm和43°/V·mm。
邬祥生吴学海李允平吕章德龚连根周萍吴长川
关键词：INGAASP相位调制器
InGaAsP相位调制器的研究被引量：1
1990年
本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—Zehnder干涉光路,和1.52μum激光源对器件进行测量,得到迄今最高的相位移效率—TE和TM模分别为60°/V·mm和43°/V·mm。
邬祥生李允平吴学海吕章德龚连根周萍吴长川
关键词：半导体材料相位调制器INGAASP
分布反馈激光器、调制器及其单片集成
1993年
本文评述了国内外分布反馈激光器、半导体光波导调制器及其单片集成器件的研究现状、发展趋势和应用情况。
陈建新邬祥生
关键词：反馈激光器调制器单片集成
InP系量子阱相位调制器的理论设计
1994年
本文应用量子限制Ｓｔａｒｋ效应理论计算了ＩｎＰ系量子阱中激子的波函数及激子的能量．在此基础上，计算了不同电场条件下激子能量的红移，以及吸收系数的变化．然后，根据Ｋ－Ｋ关系计算了折射率的变化，得到了一定强度外电场条件下，折射率变化与波长、组份及阱宽的关系．按照我们的计算，折射率变化可达２．５４×１０－２．
陈建新邬祥生
关键词：相位调制器半导体量子阱光通信
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