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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇吸气
  • 1篇吸气剂
  • 1篇SIMS分析
  • 1篇UV
  • 1篇XPS分析
  • 1篇GAAS表面
  • 1篇MCP
  • 1篇表面化学
  • 1篇O
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇中国科学院电...
  • 1篇华东工学院
  • 1篇中国科学院兰...

作者

  • 3篇邓金祥
  • 2篇夏长虹
  • 1篇杨伟毅
  • 1篇张韶红
  • 1篇高频
  • 1篇杨得全
  • 1篇王广林
  • 1篇陶兆民

传媒

  • 1篇光电子技术
  • 1篇华东工学院学...

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
1992年
UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
杨伟毅王广林高频夏长虹邓金祥
关键词:砷化镓表面化学
Ti-Ta吸气丝的SIMS分析被引量:1
1991年
本文给出两种Ti-Ta吸气丝的SIMS分析,比较其结果,对其吸气性能的差异予以讨论,指出其中一种Ti-Ta吸气丝吸气性能差的原因。
邓金祥夏长虹陶兆民余镇江杨得全张韶红
关键词:吸气剂SIMS分析
MCP和GaAs的表面分析
邓金祥
共1页<1>
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