邓永孝
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
- 供职机构：航天工业总公司七七一研究所更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术理学电气工程更多>>
- 半导体器件的静电损伤及防护
- 静电放电(ESD)损伤失效是半导体器件的重要失效原因。本文从静电产生、ESD损伤模型、抗静电能力分类、ESD的失效模式、使用中的防静电损伤措施等五方面加以介绍。其目的是为器件用户提供防静电损伤的科学依据。
- 邓永孝
- 文献传递
- 做好DPA保证可靠性
- 1999年
- DPA是破坏性物理分析的简称,它是航天总公司为了保证航天型号的可靠性,在元器件方面采取的重大措施。1998年度航天发射任务取得了圆满成功,可以充分说明这一措施是十分有效的。
- 邓永孝
- 关键词：破坏性物理分析元器件钝化层金属化设计缺陷
- 开展电子、电磁和电气元器件的DPA研究
- 2000年
- 本文在开展半导体器件ＤＰＡ试验的基础上，介绍了将ＤＰＡ扩大至电子、电磁和电气元器件领域的研究重点和有关技术途径，以及相应的试验内容。
- 邓永孝
- 关键词：电气元器件半导体器件电磁
- 重测合格电路及其现场故障分析
- 王凤生邓永孝
- 关键词：电路分析故障检测电子产品可靠性
- 半导体器件的静电放电损伤及防护(下)
- 1989年
- 本文主要介绍了为防止半导体器件静电损伤,在设计上所采取的几种保护电路,以及在制造、测试、试验、传递、包装、运输、使用等各个环节中防止产生静电的措施。
- 邓永孝
- 关键词：半导体器件保护网络反向击穿沟道长度印制板静电能
- 半导体器件的静电放电损伤及防护(上)
- 1989年
- 一、静电放电(ESD)的损伤模型 半导体器件在生产、封装、传递、试验、运输、整机调试及现场运行时,都可能因静电放电(ESD)损伤而失效,对MOS电路尤其如此。 随着高分子材料的广泛应用,半导体器件在生产、使用环境中绝缘材料日益增多,所以半导体器件因静电放电引起的损伤日益严重。特别是大规模集成电路的发展,器件尺寸进一步减小,对ESD也更加敏感。
- 邓永孝
- 关键词：半导体器件高分子材料肖特基保护电路介质击穿
- 半导体器件的“过应力”损伤
- 1996年
- 本文主要叙述半导体器件在使用过程中遭受“过应力”损伤的主要原因和防范措施。
- 邓永孝
- 关键词：半导体器件应力
- 半导体器件的静电损伤及防护被引量：1
- 1993年
- 静电放电(ESD)损伤失效是半导体器件的重要失效原因。从静电产生、静电放电ESD损伤模型、抗静电能力分类、ESD的失效模式、使用中的防静电损伤措施等二方面予以介绍。其目的是为用户提供防静电损伤的科学依据。
- 邓永孝
- 关键词：静电放电静电损伤半导体器件
- 开展电子、电磁和电气元器件的DPA研究
- 本文在开展半导体器件DPA试验的基础上，介绍了将DPA扩大至电子、电磁和电气元器件领域的研究重点和有关技术途径，以及相应的试验内容。
- 邓永孝
- 关键词：半导体器件电气元器件
- 文献传递
