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赵荣

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇导体
  • 3篇氧化物
  • 3篇涂层导体
  • 2篇织构
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土氧化物
  • 2篇溅射
  • 2篇功率控制
  • 2篇反应溅射
  • 2篇高温超导
  • 2篇超导
  • 1篇行为学
  • 1篇生理
  • 1篇生理学
  • 1篇特异
  • 1篇特异性
  • 1篇理学
  • 1篇惊厥
  • 1篇缓冲层
  • 1篇海马

机构

  • 4篇上海大学

作者

  • 4篇赵荣
  • 3篇蔡传兵
  • 3篇范峰
  • 3篇刘志勇
  • 3篇鲁玉明
  • 1篇程慧雯
  • 1篇翁春春
  • 1篇邱文彬
  • 1篇吉永华
  • 1篇李敏娟
  • 1篇杨隽

传媒

  • 1篇低温与超导

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构，包括（Ⅰ）La<Sub>2</Sub>Zr<Sub>2</Sub>O...
蔡传兵范峰赵荣鲁玉明刘志勇
高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构，包括（Ⅰ）La<Sub>2</Sub>Zr<Sub>2</Sub>O...
蔡传兵范峰赵荣鲁玉明刘志勇
文献传递
特异性钠通道调制剂BmK IT2的新应用
本发明涉及一种特异性钠通道调制剂BmK IT2的新应用。本发明将特异性钠通道调制剂BmK IT2注入大鼠海马内，研究其对于不同致癫剂诱发的大鼠惊厥反应中的保护作用，从行为学、免疫组织化学、电生理学等方面发现BmK IT2...
吉永华杨隽赵荣翁春春程慧雯
文献传递
金属基底上氧化物缓冲层的外延生长及表面形貌研究被引量：1
2013年
采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5%W基底上快速沉积了Y2O3种子层,随后外延生长GdxZr1-xOy(x=0.5,0.1)和YSZ三种阻挡层。研究表明,Y2O3能扩大和稳定后续薄膜的工艺窗口。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析结果表明,三种薄膜c轴织构良好、表面平整致密,其中GSZ(x=0.5)具有最好的面内织构和表面形貌,面内半高宽(FWHM)5.8°,均方根粗糙度(RMS)1.6 nm。
邱文彬范峰赵荣李敏娟鲁玉明刘志勇蔡传兵
关键词：涂层导体缓冲层
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