2024年11月27日
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赵士超
作品数:
136
被引量:17
H指数:2
供职机构:
杭州电子科技大学
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浙江省自然科学基金
浙江省教育厅科研计划
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
文化科学
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合作作者
吕燕飞
浙江大学材料与化学工程学院
霍德璇
杭州电子科技大学理学院材料物理...
张琪
杭州电子科技大学理学院材料物理...
季振国
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
席俊华
杭州电子科技大学
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一种含铜、磷、硫的材料的制备方法
本发明公开了一种含铜、磷、硫的材料的制备方法,本发明在管式炉中,通过固相和气相反应,合成了主成分为CuPS<Sub>3</Sub>三元材料,形貌为片状,片之间相互堆叠成枝叶状,分布于三维空间中。这种结构使得材料三维贯通的...
蔡庆锋
彭雪
吕燕飞
席俊华
赵士超
文献传递
一种二硫化钨薄膜的制备方法
本发明涉及一种二硫化钨薄膜的制备方法。目前二硫化钨薄膜常用的制备工艺是低压、高温和惰性或还原性气氛中硫源与钨源发生反应获得WS<Sub>2</Sub>。为了获得WS<Sub>2</Sub>制备的高重复性,有些研究报道在制...
赵士超
翁嘉鑫
吕燕飞
金圣忠
文献传递
一种二维二硫化钨薄膜的制备方法
本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法,该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物,通过化学气相沉积法合成了WS<Sub>2</Sub>二维单分子/多分子层厚度的单晶材料,其中二硫化钨单晶形貌为三角形、...
吕燕飞
徐竹华
赵士超
文献传递
一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法
本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法,现有技术中贵金属元素掺杂后,可以改变h‑BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯,h‑BN单分子层薄膜的制备非常困难;本发明采用氨硼烷和金作为h‑BN前驱物和掺杂剂...
吕燕飞
彭雪
蔡庆锋
赵士超
一种光敏型二硫化碳传感器的制备方法
本发明公开了一种光敏型二硫化碳传感器的制备方法,本发明在氧化铝陶瓷基底上,首先沉积生长金叉指电极,接着在金叉指电极表面涂覆硫化银纳米颗粒,获得硫化银探测器,将硫化银探测器设置在容器内,容器内设置蓝光LED光源。本发明操作...
董孟孟
蔡庆锋
彭雪
吕燕飞
赵士超
一种低温生产锑化锌粉体的方法
本发明涉及一种合成锑化锌粉体的方法。目前制备ZnSb材料通常采用高温热处理的方法,制造成本较高。本发明步骤包括:将硫酸锌盐溶于水配成溶液,电解生成金属锌颗粒;将三氯化锑溶于水配成溶液,用硼氢化钠还原获得金属锑颗粒;将金属...
赵士超
霍德璇
吕燕飞
文献传递
稳态平板法在热电器件热电转换效率测试中的应用
被引量:2
2016年
将稳态平板法测导热系数的实验应用于热电器件热电转换效率的测试,通过测量输入器件的传热速率和负载的输出电功获得热电器件的热电转换效率。研究发现,稳态平板法可以测量工作温度在室温到100℃范围内热电器件的热电转换效率。
赵士超
张琪
吕燕飞
张志豪
关键词:
热电器件
热电转换效率
一种n型磷化亚铜的制备方法
本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法,包括如下步骤:S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔;S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底,在其表面沉积氧化锌薄膜;S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热,热处理温度为650‑...
彭雪
吕燕飞
蔡庆锋
席俊华
傅力
陈飞
张睿
赵士超
一种氧化硅刻蚀的方法
本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术,具有方便灵活易于实现的优点,不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸,氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性,在条件一般的实验室中是不适合应...
赵士超
张琪
张志豪
吕燕飞
金圣忠
王昕
文献传递
氧化锌透明陶瓷的制备方法
本发明涉及氧化锌透明陶瓷的制备方法。现有技术制备的氧化锌陶瓷一般不透光,烧结过程中氧化锌晶粒长大不能获得氧化锌纳米陶瓷。本发明将金属锌与双氧水按照质量比1~5:50混合,两者发生化学反应,一定时间后生成氢氧化锌胶体,然后...
吕燕飞
李玉伟
赵士超
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