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许梅

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学信息科学技术学院电子学系更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇势垒
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇N型半导体
  • 1篇AU
  • 1篇GA
  • 1篇N

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇云南师范大学

作者

  • 1篇蔡武德
  • 1篇许梅
  • 1篇李朝友
  • 1篇杨海

传媒

  • 1篇云南师范大学...

年份

  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属/n型半导体(Au/n-Ga N)肖特基势垒的研究(英文)
2001年
材料 Au/ n Ga N在 60 0℃温度淬火后 ,利用电流 -电压测量、XPS谱研究金 Au和 n型 Ga N半导体形成的接触势垒。电流 -电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为 1 .2 4 e V、1 .0 3,理想因子为 1 .1 2的势垒最大高度为 1 .35e V。 XPS数据表明 :60 0℃温度的淬火导致能带向上弯曲 0 .35e V,随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲 0 .2 5e V。我们的结论可以用 Cowley-Sze模型来解释 ,结论表明 :在 Ga
杨海李朝友蔡武德许梅
关键词：肖特基势垒氮化镓
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共1页<1>
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