许保宗
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学电子电信更多>>
- NSRL光电子能谱站控制系统改造及软件设计被引量：2
- 2002年
- 了适应同步辐射应用技术发展的需要 ,我们对合肥国家同步辐射实验室 (NSRL)光电子能谱站的数据采集和控制系统的硬件和软件进行了改造 ,取得了预期的效果。硬件系统方面 ,增加了一组多功能卡 ,更换了马达控制器 ,增加了光子能量反馈系统 ;与之相应的软件得以重写 ,同时 ,对软件自身也进行了完善 ,增加了参数存取功能 ,修改了数据存储格式 ,并加入XPS工作模式。通过测量一组Ni的费米边的EDC(EnergyDistributionCurve)
- 邓锐余小江潘海斌徐法强许保宗徐彭寿
- 关键词：NSRL控制系统光束线软件设计光电子能谱
- 稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究
- 2000年
- 利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度增加时 ,As 3d和Ga 3d的表面发射峰很快消失 ,Tb与衬底发生反应 ,置换出Ga而与As形成化学键。同时Ga原子会向Tb薄膜内扩散并偏析到表面 ,而Tb As化合物只停留在界面附近区域。当Tb淀积到 0 6nm时 ,Tb膜金属化。
- 郭红志张发培潘海斌孙玉明许保宗徐彭寿
- 关键词：铽砷化镓半导体
- Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构被引量：2
- 1999年
- 利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd的增加 ,Gd 4 f演变为双峰结构。根据对实验数据的分析 。
- 孙玉明徐彭寿徐法强陆尔东张发培潘海滨许保宗张新夷
- 关键词：光电子能谱钆电子结构团簇砷化镓
