蒋维栋
- 作品数：10 被引量：14H指数：2
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察
- 1989年
- 本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。
- 金高龙陈可明盛篪周国良蒋维栋张翔九
- 关键词：SI分子束RHEED振荡
- Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察被引量：3
- 1990年
- 本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED强度振荡对应的Ge外延层最大厚度都为6个原子单层(6ML),刚好跟共度生长的临界厚度h_c值相合。
- 陈可明金高龙盛篪周国良蒋维栋张翔九俞鸣人
- 关键词：SI衬底分子束衍射
- 分子束外延生长Si/GaP珐()异质结的界面特性
- 1989年
- 本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(Ⅲ)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(Ⅲ)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(Ⅲ)是一种弱整流结构。导带失配△E_c=0.10eV,界面电荷密度σ_i=8.8×10^(10)cm^(-2)。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性。
- 邓容平蒋维栋孙恒慧
- 关键词：半导体异质结硅磷化镓
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究
- 1991年
- 在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格。
- 周国良盛篪樊永良蒋维栋俞鸣人
- 关键词：硅化锗超晶格分子束外延SI
- 极性/非极性半导体异质结构被引量：1
- 1989年
- 由极性半导体ＧａＡｓ，ＧａＰ 等和非极性半导体Ｇｅ，Ｓｉ等构成的异质结构，为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会，同时也为基础物理研究提出了新的课题．本文简要介绍极性／非极性半导体异质结构的制备和特性方面的一些基本问题及其在器件应用方面的发展现状．
- 蒋维栋张翔九王迅
- 关键词：极性半导体
- Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的俄歇深度剖面分析
- 1991年
- 用氩离子刻蚀和俄歇电子能谱测量Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的成分深度分布,得到Ge,Si两种成分随深度的周期性变化,在二次电子象中观察到刻蚀坑边缘的明暗交替的周期性结构。讨论了用俄歇深度剖面分布作超晶格结构分析的特点及其局限性。
- 卫星蒋维栋周国良俞鸣人王迅
- 关键词：应变层超晶格
- GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制
- 1990年
- 用Si分子束外延技术在 GaP(Ⅲ)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(Ⅲ)异质结制备方法。
- 蒋维栋樊永良盛篪俞鸣人
- 关键词：分子束硅
- 分子束外延中的掺硼工艺被引量：1
- 1992年
- 我们在硅分子束外延中利用共蒸发B_2O_3的方法在硅中进行硼掺杂,掺杂浓度可控制在4×10^(17)cm^(-3)至4.2×10^(19)cm^(-3)之间,这说明不需要利用离子注入或高温掺杂炉,也可以在硅外延层中实现有效的P型硼掺杂.我们还对掺杂外延层的质量进行了初步分析:外延层剖面均匀、没有明显的偏析现象;当硅源速率在 2A/s时,外延层中氧含量与衬底相同.
- 杨小平蒋维栋樊永良盛篪俞鸣人李炳宗
- 关键词：分子束外延掺硼掺杂
- Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究
- 1990年
- 本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。
- 陈可明周国良盛篪蒋维栋张翔九
- 关键词：SI表面再构
- Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的X射线小角衍射分析被引量：9
- 1991年
- 用分子束外延生长了23周期的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(Cu K_α辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I_2/I-1值,可以确定Si,Ge_xSi_(1-x)层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。
- 周国良沈孝良盛篪蒋维栋俞鸣人
- 关键词：GEXSI1-X/SI超晶格X射线衍射
