苏付海
- 作品数：13 被引量：14H指数：2
- 供职机构：合肥物质科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱被引量：2
- 2005年
- 在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.
- 马宝珊王晓东骆军委苏付海方再利丁琨牛智川李国华
- 关键词：凝聚态物理学光致发光砷化铟量子点
- GaMnAs的Raman光谱研究被引量：2
- 2006年
- 报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的增加,CPLP模的拉曼频率红移,通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度.发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加.测量了不同温度下GaM-nAs合金的拉曼光谱.证实合金中空穴浓度随温度的增加而增加.
- 马宝珊王文杰苏付海邓加军蒋春萍刘海林丁琨赵建华李国华
- 关键词：GAMNAS拉曼光谱
- ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
- 2003年
- 研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着
- 方再利苏付海马宝珊刘南竹朱作明丁琨韩和相李国华葛惟锟苏萌强
- 关键词：电子陷阱
- 不同尺寸ZnS:Mn纳米粒子的静压光致发光研究
- 2005年
- 测量了ZnS:Mn纳米粒子以及相应体材料在不同压力下的光致发光谱.随压力增大,来源于Mn2+离子的4T1 6A1 跃迁的桔黄色发光明显红移.体材料和 10, 4. 5, 3. 5, 3nm的ZnS:Mn纳米粒子中Mn2+发光的压力系数分别是-29. 4±0. 3和-30. 1±0. 3, -33. 3±0. 6, -34. 6±0. 8, -39±1meV/GPa,压力系数的绝对值随粒子尺寸减小而增大,该种尺寸关系由晶体场场强Dq和Racah参数B值的尺寸依赖性引起. 1nm样品的Mn2+发光的特殊压力行为是因为样品的粒子尺寸比较小,另外,分布在Y型沸石中的纳米粒子的表面状况也不同于其它样品.
- 苏付海马宝珊丁琨李国华CHEN Wei
- 关键词：ZNS:MNMN^2+静压尺寸依赖性Y型沸石
- GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究被引量：1
- 2006年
- 理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模,证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支,而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2.6%到9%的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合,得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。
- 李国华马宝珊王文杰苏付海丁琨赵建华邓加军蒋春萍
- 关键词：稀磁半导体拉曼光谱
- 过渡金属和稀土离子掺杂纳米晶的光学性质研究
- 过渡金属和稀土离子掺杂的纳米晶具有高辐射效率，高辐射密度，高辐射速率等特点，因此是一类重要的纳米材料。由于ZnO是宽带隙半导体材料，并且其激子束缚能大，因而在光电领域有广阔的应用前景。本论文通过变压和变温光谱学方法研究了...
- 苏付海
- 关键词：过渡金属掺杂稀土离子掺杂光致发光宽带隙半导体材料光学性质
- ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱
- 本文研究了ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱.室温下ZnO的光致发光谱由位于3.0 eV处的UV带和位于2.4 eV处的绿光带组成.低温下UV带呈现多峰结构,由中性施主束缚激子发光,自由激子发光及其声子伴线组成.低温下在绿...
- 丁琨苏付海王文杰李国华
- 关键词：ZNO光致发光微米棒
- 文献传递
- Ir(ppy)_3分子的磷光发射温度依赖和磁场增强效应
- 2015年
- 应用磁光光谱技术,测量并研究了溶解在四氢呋喃（tetrahydrofuran,THF）中Ir（ppy）3分子的磷光发射特性随温度和磁场的变化规律。发现在2.2 K时可见光波段Ir（ppy）3有两个磷光发射峰,分别位于547.70和515.18 nm。这是由系统的金属到配位体电荷转移态（3MLCT）中两个激发态到基态的光跃迁引起。改变温度可以改变三重态中亚能级I、Ⅱ和Ⅲ上的电子分布,使得磷光发射峰的强度在10 K时发生反转,并且光谱发射强度在20300 K间随温度增加而减弱。在强磁场作用下,Ir（ppy）3在2.2 K温度下的磷光发射强度随磁场强度增大而增强。外加磁场能改变3MLCT态的三个亚能级上的电子跃迁几率,从而能增加磷光发射强度。
- 余书楷张超苏付海徐文
- 关键词：温度磁场
- GaMnAs合金的Raman光谱研究
- ＜正＞近年来,基于同时应用电子的自旋与电荷的半导体自旋电子学得到了迅速发展,GaMnAs合金就是其中的一个重要的铁磁半导体材料。研究表明,空穴载流子对GaMnAs合金的磁性起着关键的作用。但在实际实验中要测量它并非轻而易...
- 马宝珊苏付海王文杰丁琨李国华赵建华邓加军蒋春萍
- 文献传递
- 静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光被引量：2
- 2004年
- 研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 .我们还研究了这些发光峰在低温 15K下的流体静压压力行为 .观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多 ,而与Te2 有关的发光峰压力系数则比带边小 .根据Koster Slater模型 ,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因 ,而Te1和Te2
- 方再利苏付海马宝珊丁琨韩和相李国华苏萌强葛惟锟
- 关键词：光致发光硫化锌
