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胡梅丽

作品数:8 被引量:31H指数:3
供职机构:华东师范大学更多>>
发文基金:上海-AM基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇射频
  • 4篇牺牲层
  • 3篇射频开关
  • 3篇开关
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇电极
  • 2篇氧化硅
  • 2篇微机械
  • 2篇无线
  • 2篇芯片
  • 2篇接触式开关
  • 2篇开关芯片
  • 2篇隔离度
  • 2篇共平面波导
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇插入损耗
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇亚胺

机构

  • 8篇华东师范大学

作者

  • 8篇胡梅丽
  • 7篇赖宗声
  • 6篇忻佩胜
  • 6篇茅惠兵
  • 2篇魏华征
  • 2篇朱自强
  • 1篇郑莹
  • 1篇郭方敏
  • 1篇沈德新

传媒

  • 2篇微电子学
  • 2篇第八届敏感元...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
射频//微波MEMS接触式开关的研究
目前无线通信中的射频/微波MEMS器件已成为国际上的研究热点,MEMS开关作为射频/微波通信中实现信号路由转换的重要器件,成为了研究焦点。与传统上的微波开关PIN管和GaAs FET相比,MEMS开关有尺寸小,插入损耗小...
胡梅丽
文献传递
微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究被引量:9
2003年
 文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层。测试结果表明,研制的微机电开关在0.5~5GHz的范围内插入损耗为2dB,隔离度达30~50dB。
茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声
关键词:射频开关共平面波导插入损耗隔离度
硅基微机械微波/射频开关芯片的制备方法
一种硅基微机械微波/射频开关的制备方法,包括硅片准备和第一次氧化;光刻并腐蚀二氧化硅层、制备初步的二氧化硅桥墩(16);硅片第二次氧化;再次光刻并腐蚀二氧化硅层,形成二氧化硅桥墩(16);制备铬-金双金属层(18);光刻...
茅惠兵赖宗声朱自强忻佩胜胡梅丽
文献传递
微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究被引量:9
2002年
讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性。
茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声
关键词:微机械悬臂梁共平面波导无线通信设备
高隔离度微波微机械接触式开关
本文主要讨论了微波微机械接触式开关的设计、工艺制备和测试结果.我们所设计的接触式开关不同于以往所使用的悬臂梁式的结构,而是采用了桥式结构.当驱动电压大于吸合电压时,悬浮桥与传输线吸合,使开关导通.在不加电压时,开关为关闭...
胡梅丽魏华征茅惠兵赖宗声忻佩胜
关键词:微机械接触式开关牺牲层插入损耗隔离度
文献传递
在线电容式RF MEMS开关的模拟与优化
为了快速准确地设计性能良好的RF MEMS开关,本文用HFSS软件对RF MEMS开关进行S参数仿真,对不同结构尺寸的开关进行优化.通过模拟分析了在线电容式RF MEMS开关的射频性能,得到了RF MEMS开关的一些设计...
魏华征胡梅丽郑莹郭方敏赖宗声
关键词:HFSSS参数
文献传递
RF/MW MEMS开关中聚酰亚胺的牺牲层技术研究被引量:14
2005年
目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响。MEMS开关的梁结构 完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除。实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿 法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法。
胡梅丽赖宗声茅惠兵忻佩胜沈德新
关键词:聚酰亚胺牺牲层刻蚀MEMS开关
硅基微机械微波/射频开关芯片的制备方法
一种硅基微机械微波/射频开关的制备方法,包括硅片准备和第一次氧化;光刻并腐蚀二氧化硅层、制备初步的二氧化硅桥墩16;硅片第二次氧化;再次光刻并腐蚀二氧化硅层,形成二氧化硅桥墩16;制备铬-金双金属层18;光刻并腐蚀铬-金...
茅惠兵赖宗声朱自强忻佩胜胡梅丽
文献传递
共1页<1>
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