皇甫幼睿 作品数:8 被引量:4 H指数:1 供职机构: 浙江大学 更多>> 发文基金: 浙江省自然科学基金 国家重点实验室开放基金 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 一般工业技术 更多>>
一种生长有序硅基锗量子点的方法 本发明公开了一种在硅衬底上制备高密度有序锗量子点的方法。它首先利用阳极多孔氧化铝贴在RCA清洗过的硅片表面,通孔后放入分子束外延生长设备中进行锗量子点的生长。之后通过高温退火过程除掉模板,而留下周期排布的锗量子点结构。采... 叶辉 张磊 皇甫幼睿 詹文博利用多孔氧化铝模板生长锗纳米点研究 本文利用多孔阳极氧化铝作为模板,将贴有模板的衬底在分子束外延生长系统中进行锗的沉积,通过不同的工艺选择,研究了其对于自组装锗纳米点的有序性和周期性的影响。扫描电镜的结果证实此方法可以获得尺寸小、均一且周期性良好的纳米点状... 皇甫幼睿 张磊 詹文博 叶辉关键词:多孔氧化铝模板 锗硅半导体量子点及薄膜的制备研究 随着近年来光子学与微光子学的迅速发展,作为集成微电子学的主要材料锗硅半导体被发现在集成光电子学领域显示出日益重要的作用。硅光子学也因此成为了半导体光子学中重要的研究领域。近年来,该领域取得了重要的进展,多种基于硅及SOI... 叶辉 张磊 张冲 皇甫幼睿 刘旭文献传递 氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究 2011年 在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工艺的控制可以获得高密度(~1011cm-2)的均匀锗量子点.研究了后期退火温度对量子点的结构影响的局部反常规律并进行了原因分析.利用拉曼和荧光光谱研究了其应力和发光特性,发现在可见(500nm)和近红外(1350nm)的两个光致荧光峰出现. 张磊 叶辉 皇甫幼睿 刘旭关键词:锗量子点 二氧化硅 退火 基于多孔氧化铝膜的硅基锗纳米异质外延的研究 近年来,对摩尔定律的残酷追逐导致芯片上器件特征尺寸逐渐达到电子器件的瓶颈,而且对互连带宽密度的需求也在日益增大。为了解决电无法解决的问题,硅光子学逐渐从研究走向商业化,IBM研究发现硅光子器件与芯片制造工艺的结合是可行的... 皇甫幼睿关键词:多孔阳极氧化铝 文献传递 在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究 被引量:3 2009年 在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释.解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件. 张冲 叶辉 张磊 皇甫幼睿 刘旭一种生长有序硅基锗量子点的方法 本发明公开了一种在硅衬底上制备高密度有序锗量子点的方法。它首先利用阳极多孔氧化铝贴在RCA清洗过的硅片表面,通孔后放入分子束外延生长设备中进行锗量子点的生长。之后通过高温退火过程除掉模板,而留下周期排布的锗量子点结构。采... 叶辉 张磊 皇甫幼睿 詹文博文献传递 氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究 被引量:1 2011年 以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的微观结构示意图。拉曼光谱证实此类微结构中有压应力的存在,而退火后的量子点则应力得到释放。 张磊 叶辉 皇甫幼睿 詹文博 刘旭关键词:纳米微结构 分子束外延 成核