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白克武

作品数：5 被引量：19H指数：1
供职机构：北京科技大学更多>>
相关领域：化学工程理学建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇理学

主题

  • 4篇MOCVD
  • 3篇相图
  • 2篇镓
  • 2篇B-C
  • 1篇碳化硼
  • 1篇碳化硼陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇硼陶瓷
  • 1篇热力学分析
  • 1篇热压
  • 1篇热压工艺
  • 1篇热压烧结
  • 1篇显微结构
  • 1篇半导体
  • 1篇N-S
  • 1篇铟
  • 1篇GASB
  • 1篇INSB
  • 1篇SB
  • 1篇A-I

机构

  • 5篇北京科技大学

作者

  • 5篇白克武
  • 3篇张维敬
  • 1篇王永兰
  • 1篇李平

传媒

  • 3篇第八届全国相...
  • 1篇西安交通大学...

年份

  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
Ｉｎ－Ｓｂ－Ｃ－Ｈ四元相图与ＩｎＳｂ的ＭＯＣＶＤ外延生长
白克武张维敬
关键词：相图铟
热压工艺对碳化硼显微结构和力学性能的影响被引量：19
1994年
讨论了不同热压工艺参数对碳化硼烧结体的硼碳原子比（Ｂ／Ｃ）、显微结构和力学性能的影响．实验结果表明：在烧结过程中，粉体中的游离碳通过与碳化硼晶体之间的扩散，使碳化硼的Ｂ／Ｃ发生下降；碳化硼烧结体的杨氏模量随其体积密度的增加而升高，抗弯强度与气孔率和晶粒尺寸有关，当热压温度和热压压力分别为２０００～２１００℃和３０～３５ＭＰａ时，碳化硼烧结体的晶粒尺寸均匀，为３～５μｍ；相对密度为９２％～９８％Ｔ．Ｄ．；抗弯强度为４００～５００ＭＰａ．
白克武王永兰杨建锋高积强李光新李平金志浩王笑天
关键词：碳化硼陶瓷热压烧结显微结构
Ｇａ－Ｉｎ－Ｓｂ－Ｃ－Ｈ五元相图与（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｂ的ＭＯＣＶＤ外延生长
白克武张维敬
关键词：相图镓
Ｇａ－Ｓｂ－Ｃ－Ｈ四元相图与ＧａＳｂ的ＭＯＣＶＤ外延生长
白克武张维敬
关键词：相图镓
Ⅲ-Ⅴ族半导体MOCVD外延生长的热力学分析
白克武
关键词：MOCVD
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