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甄辉辉

作品数:3 被引量:15H指数:3
供职机构:西北工业大学材料学院更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇微观相场
  • 3篇相场
  • 2篇微观相场模拟
  • 2篇相场模拟
  • 2篇NI
  • 2篇AL
  • 2篇L1
  • 1篇对势
  • 1篇相场法
  • 1篇相场法模拟
  • 1篇合金
  • 1篇NI3AL
  • 1篇V

机构

  • 3篇西北工业大学

作者

  • 3篇陈铮
  • 3篇王永欣
  • 3篇甄辉辉
  • 3篇张静
  • 2篇霍进良
  • 2篇赵彦
  • 2篇张明义
  • 1篇卢艳丽

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
微观相场法模拟Ni_(75)Al_(5.3)V_(19.7)中L1_2和D0_(22)结构反位缺陷的演化被引量:4
2009年
运用微观相场法研究Ni75Al5.3V19.7合金沉淀过程中L12结构和D022结构反位缺陷发现:在沉淀初期,L12结构反位缺陷AlNi,VNi,NiAl,D022结构反位缺陷VNi,AlNi,Niv,Alv的浓度均从初始高度反位状态随沉淀过程的进行逐渐减小并趋于一平衡值;沉淀中后期,L12结构和D022结构长大,反位缺陷浓度始终保持平衡,平衡时L12结构的α格点反位缺陷AlNi,VNi,D022结构的α格点反位缺陷VNi,AlNi的浓度均在10-2数量级,L12结构和D022结构的β格点的反位缺陷NiAl,Niv的浓度在10-1数量级,NiAl,Niv反位缺陷分别是这两种结构的主要反位缺陷类型;第三组元在有序相中有择优占位倾向,V原子优先占据L12结构的β格点,Al原子优先占据D022结构的α格点.
张静陈铮王永欣卢艳丽霍进良甄辉辉赵彦
关键词:微观相场
四近邻对势对Ni_(75)Al_5V_20合金沉淀机制影响的微观相场模拟被引量:4
2009年
利用微观相场动力学模型,研究了4近邻对势对Ni75Al5V20合金沉淀机制的影响。结果表明,不改变4近邻对势,DO22相和L12相沉淀机制均为失稳分解与非经典形核混合型机制。随Ni-Al4近邻对势V4Ni-Al向负值方向绝对值增大,L12相沉淀机制转变为失稳分解。随Ni-V4近邻对势V4Ni-V增大,DO22相沉淀机制转变为失稳分解,L12相转变为非经典形核机制,L12相中的Al浓度平衡值增大。随Al-V4近邻对势V4Al-V向负值方向绝对值增大,对沉淀机制的影响趋势与V4Ni-V增大类似;随V4Al-V向正值方向增大,与V4Ni-V减小的影响类似。
甄辉辉王永欣陈铮张静张明义霍进良
关键词:对势微观相场
Ni-Al-V合金L1_2相间有序畴界面的微观相场模拟被引量:10
2007年
利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L1_2(Ni_3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L1_2相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L1_2相的(100)和另一个L1_2相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,而在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同.
张明义王永欣陈铮张静赵彦甄辉辉
关键词:微观相场
共1页<1>
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