您的位置: 专家智库 > >

王继杨

作品数:18 被引量:28H指数:2
供职机构:山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”山东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程医药卫生更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 11篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 7篇晶体
  • 3篇单晶
  • 3篇提拉法
  • 3篇激光
  • 3篇光学
  • 3篇SIC
  • 3篇掺杂
  • 2篇折变
  • 2篇四方相
  • 2篇铁电
  • 2篇铌酸锂
  • 2篇铌酸锂晶体
  • 2篇晶片
  • 2篇光谱
  • 2篇光折变
  • 2篇分子
  • 2篇分子组成
  • 2篇Γ射线辐照
  • 2篇NB
  • 2篇CA

机构

  • 17篇山东大学
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 2篇湖北大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇郑州大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇扬州大学
  • 1篇河南医科大学

作者

  • 18篇王继杨
  • 6篇蒋民华
  • 5篇魏景谦
  • 5篇张怀金
  • 4篇刘耀岗
  • 4篇管庆才
  • 3篇姜守振
  • 3篇徐现刚
  • 3篇宁丽娜
  • 3篇陈秀芳
  • 3篇胡小波
  • 3篇邵宗书
  • 3篇王英民
  • 3篇李娟
  • 2篇李铭华
  • 2篇滕玉洁
  • 2篇卢朝靖
  • 2篇徐玉恒
  • 2篇夏海瑞
  • 2篇刘跃岗

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇四川大学学报...
  • 1篇郑州大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1989
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺,属于溶盐提拉法生长工艺技术领域。分子组成为M:KTa<Sub>1-x</Sub>Nb<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>,x=0.40-0.52,M是Fe,Cu,Ni,C...
王继杨魏景谦管庆才刘耀岗邵宗书蒋民华
文献传递
KTN:Fe自泵浦位相共轭特性及其不同机制的转换
1994年
KTN:Fe自泵浦位相共轭特性及其不同机制的转换廉英武,高宏,窦硕星,叶佩弦(中国科学院物理研究所,北京100080)管庆才,王继杨(山东大学晶体所,济南250100)自泵浦相位共轭是光折变材料最重要的效应之一,在光信息处理、光通信和激光器件等方面有...
廉英武高宏窦硕星叶佩弦管庆才王继杨
一种制备高掺杂浓度钽铌酸钾的方法
本发明属于非线性光学晶体的制备技术领域,它解决了目前生长钽铌酸钾(KTN)掺杂浓度过高时生长出的晶体是黑色或深蓝色,可见光不能透过的问题,本发明的主要内容就是在生长KTN晶体的原料中加入一种脱色剂,它不但提高了掺杂浓度而...
管庆才魏景谦王继杨刘跃岗邵宗书蒋民华
文献传递
NAB晶体改性研究
1993年
报导了LaxN_(1-x)AB晶体的生长;测量了其折射率、吸收光谱和荧光光谱。掺入不同量的 La^(3+)离子,其荧光寿命比NAB晶体增加18.4%。用染料激光器泵浦,观测了其激光输出性能。
隗广安姜润清刘跃岗魏景谦王继杨
关键词:晶体生长激光晶体改性
6H-SiC晶片的退火处理被引量:2
2006年
本文在背景Ar气压力为8×10^4Pa、温度为1800~2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H—SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响。发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展。通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量。
姜守振李娟陈秀芳王英民宁丽娜于光伟胡小波徐现刚王继杨蒋民华
关键词:SIC退火
钨青铜型Ca_(0.28)Ba_(0.72)Nb_2O_6单晶的正常弛豫铁电相转变研究
2005年
研究了大块Ca0.28Ba0.72Nb2O6(CBN-28)单晶沿[001]方向的铁电介电性能.结果表明,CBN-28单晶的自发极化、剩余极化和矫顽场分别为35.3μC/cm2,32.2μC/cm2和38.1kV/cm.在室温下频率f=10kHz时,介电常数(εr=195,介电损耗tgδ=0.32.变温的介电谱显示该单晶在252℃附近发生了正常铁电体向弛豫铁电体的转变.低频时在325℃~500℃范围内出现了具有弛豫特征的介电反常.120℃附近有一由氧空位的迁移引起的介电弛豫损耗峰,由此计算得激活能为1.19eV.通过阻抗谱计算,在500℃~560℃范围内的电导激活能为1.33eV.
祁亚军卢朝靖朱骏陈小兵张怀金王继杨
关键词:单晶铁电介电
沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶
2007年
本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。
姜守振李娟陈秀芳王英民宁丽娜胡小波徐现刚王继杨蒋民华
关键词:SIC微管
钨青铜型Ca_(0.28)Ba_(0.72)Nb_2O_6单晶中铁电畴结构及其演变的透射电镜研究
2005年
用透射电镜研究了CBN-28单晶中的180°畴结构及其演变.发现其中存在高密度的180°铁电畴,这些畴呈长钉状或棒状,沿c轴走向,直径约50~500nm.观察到电子束辐照诱致的畴壁运动.原位加热观察表明,升温至220℃左右,开始出现许多直径仅几纳米的细条状微畴;温度再上升时这种细条状畴逐渐增多.在282℃时所有畴衬度消失.这种零场自发极化的宏畴→微畴转变对应于在铁电相变点Tc附近的正常→弛豫铁电体转变.温度降至196℃以下时,形成了直径约10~50nm稳定的条状畴.
卢朝靖聂长江张怀金王继杨
关键词:透射电镜铁电畴
掺V^(4+)的KTiOPO_4单晶的电子顺磁共振研究
1993年
在室温X波段对掺V^(4+)的KTP单晶作电子顺磁共振(EPR)谱的测量和分析表明:V^(4+)占据的晶位可分为结晶学上不同的两类,每一类又含4个磁性不等价而结晶学上相同的V^(4+)晶位。测量了3个互相垂直结晶主平面上的EPR超精细线随角度的变化,并用严格的最小二乘法拟合程序,确定了g和A张量的主值以及它们主轴的方向余弦。从而揭示了V^(4+)是处在带有四角畸变的八面体环境及单胞中所有8个磁性不等价V^(4+)晶位的空间取向。
韩世莹眭云霞王继杨刘耀岗魏景谦
关键词:磷酸钛氧钾单晶ESR
香茶菜中几种抗癌活性组分抗癌活性区的结构研究被引量:1
1992年
本文报导了香茶菜中几种抗癌活性组分抗癌活性区的 X-射线衍射结构测定和量子化学计算结果,给出了原子间的主要键长、键角、二面角,前线轨道及其能级,电荷密度。并对其抗癌活性与结构的关系进行了讨论。
翟锦库韩维成李宇敏于文涛王继杨赵清治张雁冰薛华珍
关键词:香茶菜抗癌活性
共2页<12>
聚类工具0