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王立武

作品数:6 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇电子能
  • 4篇电子能谱
  • 4篇光电子能谱
  • 3篇电化学
  • 2篇电化学沉积
  • 2篇电子结构
  • 2篇循环伏安
  • 2篇循环伏安法
  • 2篇子结构
  • 2篇伏安法
  • 1篇亚稳态
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁薄膜
  • 1篇同步辐射光电...
  • 1篇退火
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋磁矩
  • 1篇咪唑
  • 1篇喹啉
  • 1篇羟基

机构

  • 6篇中国科学技术...
  • 1篇浙江大学

作者

  • 6篇王立武
  • 5篇徐法强
  • 5篇张文华
  • 4篇李宗木
  • 3篇王国栋
  • 1篇张旺
  • 1篇闫文盛
  • 1篇陈铁锌
  • 1篇施敏敏
  • 1篇潘海斌
  • 1篇莫雄
  • 1篇陈红征
  • 1篇孙秀玉
  • 1篇汪茫
  • 1篇王劼

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇金属功能材料

年份

  • 1篇2011
  • 5篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Co-Ni合金薄膜的电化学外延及同步辐射XMCD研究被引量:3
2007年
采用电化学循环伏安法在单晶GaAs(001)衬底上外延沉积了Co-Ni二元合金薄膜.扫描电子显微镜观察结果显示,薄膜厚度约180nm,其表面由约40nm大小的颗粒组成.用X射线荧光法确定了薄膜的组分为Co66Ni34,XRD确定了其为面心立方结构.用同步辐射圆偏振软X射线分别测量了样品中Co和Ni的吸收谱(XAS),从而得到X射线磁性圆二色(XMCD)谱,通过加和定则分别计算出了合金中Co和Ni的轨道磁矩和自旋磁矩,与纯的Co和Ni样品相比,它们都有不同程度的增加.
王立武李宗木张文华徐法强王劼闫文盛
关键词:循环伏安法自旋磁矩
Fe/ZnO(0001)体系界面相互作用中薄膜厚度效应的光电子能谱研究
2011年
利用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)技术,系统研究了室温下Fe/ZnO界面形成过程中Fe薄膜与氧结尾的ZnO(0001)衬底之间的相互作用,结果显示初始沉积的Fe明显被表面氧氧化为Fe2+离子,在Fe覆盖度为0—3nm的范围内,分别观察到与界面电荷传输、化学反应以及薄膜磁性相关的三个有意义的临界厚度,这一结果将有助于基于Fe/ZnO界面的相关器件的设计和研发.
张旺徐法强王国栋张文华李宗木王立武陈铁锌
关键词:同步辐射光电子能谱X射线光电子能谱
电化学外延生长亚稳态Co薄膜的结构和磁性表征
2007年
用循环伏安法在单晶Cu(110)上沉积了亚稳态fcc相的Co磁性薄膜,并用法拉第定律估算了薄膜的厚度约为17 nm。X射线衍射结果表明薄膜具有(100)的单一取向结构,而用同样方法沉积在多晶Pt片上的Co薄膜则是六方多晶结构。用扫描电子显微镜、X射线以及同步辐射光电子能谱对薄膜的表面形貌、组成以及元素的化学态进行了表征,结果表明循环伏安法制备的薄膜平整连续,Co薄膜没有明显的氧化现象;磁性测量结果表明外延生长的薄膜具有典型的软磁特征,矫顽力约为100 Oe,剩磁比约0.86。软X射线磁性圆二色实验结果计算得到Co薄膜的自旋磁矩和轨道磁矩非常接近于Co体相材料的数据。
李宗木徐法强孙秀玉张文华王立武
关键词:电化学沉积循环伏安法光电子能谱
金属Rb掺杂Alq_3的电子结构及其退火与氧化行为
2007年
利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝(Rb-Alq3)薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为,结果表明铷和Alq3分子发生显著反应,电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道,形成活泼金属/有机接触中典型的带隙态,结合能位于1.2 eV.在低温退火后,Rb-Alq3的价带往高结合能端整体位移0.1 eV,真空能级保持不变,带隙态仍然可辨;深度氧化后,带隙态消失,最高占据态(HOS)基本回到退火氧化处理前的位置,但真空能级抬高了近1 eV.Rb-Alq3氧化后的最小电离势增大了约1 eV,而纯净Alq3薄膜只增大0.05 eV左右.
张文华王国栋王立武李宗木徐法强
关键词:8-羟基喹啉铝光电子能谱
苯并咪唑苝与金属Ag的界面电子结构研究
2007年
利用同步辐射光电子能谱实验技术考察了苯并咪唑苝(BZP)和Ag的界面形成过程与电子结构.单层覆盖度以下时,BZP分子与Ag有弱相互作用,在有机分子禁带中出现明显界面反应态,结合能位于0.9eV.单层铺满后,BZP分子呈现三维岛式生长,且与Ag的相互作用逐渐减弱,同时最高占据分子轨道由于终态效应逐渐向高结合能方向位移至体相结合能位置(2.3eV).Ag衬底上BZP分子的生长导致样品表面功函数减小,表明形成了表面偶极势(Δ=0.3eV),且电子从有机分子向金属Ag偏移.最后,考察了BZP/Ag界面受温度和O2的影响,发现BZP/Ag界面在250℃以下退火后,其特征峰与带隙态的位置保持不变,但在O2气氛中暴露后带隙态消失,价带电子能级向低结合能位移.
张文华莫雄王国栋王立武徐法强潘海斌施敏敏陈红征汪茫
关键词:电子结构光电子能谱
铁磁薄膜的电化学沉积及XMCD研究
铁磁金属与半导体的集成是磁电子学(也叫自旋电子学)领域重要的研究方向,基于磁性薄膜-半导体结构制作的器件不仅可以同时利用电子的电荷与自旋属性,还将铁磁性和半导体的性质完美地组合到一起。要使自旋极化的电子从磁性薄膜中有效地...
王立武
关键词:铁磁薄膜复合结构电化学沉积
文献传递
共1页<1>
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