王海龙
- 作品数：111 被引量：139H指数：6
- 供职机构：曲阜师范大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究被引量：4
- 2015年
- 在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应。计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据。
- 张金凤王海龙龚谦
- 关键词：结合能变分法激子
- 谷电子自由度电学调控的首次实现
- 2016年
- 对电子电荷和自旋自由度的电学调控奠定了微纳电子器件和自旋电子器件的工作基础,然而人们对固体材料中电子谷自由度的有效电学调控还处在研究探索阶段。文章简要介绍作者在单层过渡金属硫族化合物(TMDC)和磁性半导体(Ga,Mn)As构成的pn结中,利用电学自旋注入方法首次成功实现对电子谷自由度进行电学调控的工作。
- 王海龙叶堉赵建华张翔
- 关键词：磁性半导体垂直磁各向异性
- 一种铁磁性砷化镉单晶薄膜的制备方法
- 本发明提供一种铁磁性砷化镉单晶薄膜的制备方法，包括：S1，在第一温度下，在脱氧后的半绝缘GaAs(111)B衬底上分子束外延生长GaAs缓冲层；S2，降低第一温度至第二温度，在GaAs缓冲层上分子束外延一层磁性元素掺杂的...
- 王海龙马佳淋赵建华
- 文献传递
- Al/Co/MnGa/GaAs多层膜的磁性研究
- 近年来,由于在垂直磁存储以及STT-MRAM[1]、自旋转矩振荡器(STO)等自旋器件中的潜在应用价值,具有垂直磁晶各向异性(PMA)的磁性材料受到了越来越多的关注.
- 肖嘉星鲁军朱礼军王海龙潘东赵建华
- 晶体相位延迟量的测量被引量：5
- 2007年
- 通过2束平面偏振光的合成推导出椭偏测量的基本原理,给出了用标准1/4波片测量晶体相位延迟量的测量原理.在测量时不必知道待测晶体的具体光轴方位,只需调节标准1/4波片、待测晶体的快(慢)轴与起偏方向平行,然后将晶体逆时针转过45°.测量装置采用了步进电机带动检偏器旋转,使用光电探测器采集数据,经计算机处理,根据数据曲线直接读出待测晶体的相位延迟量.该方法可以方便快捷地测量任意相位延迟.
- 张旭吴福全王海龙郝殿中孔超闫斌
- 关键词：双折射晶体相位延迟1/4波片
- 原位测量源炉中源材料质量的方法
- 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中原位测量束源炉中源材料质量的便捷方法，其特征在于具体步骤是：测量出束源炉升温时的时间——功率曲线；测量出束源炉降温时的时间——功率曲线；根据时间——功率曲线上的波动计算源炉中源材料...
- 龚谦王海龙
- 文献传递
- 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响被引量：7
- 2013年
- 在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.
- 王文娟王海龙龚谦宋志棠汪辉封松林
- 关键词：激子INGAASP结合能电场
- 自组织InAs/GaAs量子点的光学电性质和生长机理
- 由于量子点结构的独特的光电性质,对应变自组织量子点材料的生长及性质研究不仅 具有重要的学术意义,而且有着广泛的应用前景,是目前国际上最前沿的研究课题之一.该论文利用MBE技术制备了高质量的InAs/GaAs量子点样品,通...
- 王海龙
- 关键词：INAS/GAAS量子点电学特性光学特性
- InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量被引量：4
- 2007年
- 为确定异质结界面带阶,结合光致发光(PL)谱和深能级瞬态谱(DLTS)测量结果,利用有效质量近似理论,计算得到了InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量,其中导带不连续量ΔEc=0.97eV,价带不连续量ΔEv=0.14eV。
- 王海龙秦文华赵传华
- 关键词：自组装量子点INAS/GAAS
- 2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析被引量：2
- 2018年
- 利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,在室温连续波工作模式下,测得激光器的内量子效率为61.1%,内部损耗为8.3cm-1,激光输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特性。器件激射波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件,腔长越长,器件工作波长越长,工作波长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。
- 杨维凯王海龙曹春芳严进一赵旭熠周长帅龚谦
- 关键词：分子束外延阈值电流密度激射波长
