王星明
- 作品数：84 被引量：153H指数：8
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划科研院所技术开发研究专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程金属学及工艺冶金工程更多>>
- 掺杂Sn,Bi的Ge_2Sb_2Te_5相变存储靶材制备和薄膜性能研究
- 2013年
- 在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2Sb2Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6%(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性。采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材。常温下沉积的薄膜为非晶态,经150～350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程。掺杂5.6%(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14%,该薄膜潜在的光存储性能更好。掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加。
- 储茂友林阳王星明陈洋白雪韩沧
- 关键词：相变存储掺杂改性靶材
- 一种<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Sub>2</Sub>溅射靶材的制备方法及应用
- 本发明提供了一种<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Sub>2</Sub>溅射靶材的制备方法及应用，属于溅射靶材制备及应用领域。该方法包括以下步骤：采用碳热还原反应制备<Sup>10</Sup>B富集的ZrB<Su...
- 王星明刘宇阳杨磊彭程白雪桂涛储茂友
- 文献传递
- 透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体
- 2015年
- 将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd，SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明：750—850℃低温无压烧结时，扩散反应发生缓慢，只有少量的Cd2SnO4生成．大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950～1050℃无压烧结，随着温度升高，扩散反应速率较快，发生大量合成反应生成Cd2SnO4，当SnO2过量时，CdO完全参加反应。当温度上升至1150℃时，Cd：5nO4含量大幅度增加，伴随出现第二相CdSnO3。四探针测试结果显示：随着温度的升高，Cd：SnO4主相含量增加，靶材电阻率逐渐降低至19．9×10^-3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律，采用2：1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料，充分混合后在1000℃下煅烧2—3小时，可得到均匀单相亮黄色Cd，SnO4原料粉体。
- 白雪王星明储茂友张碧田段华英石志霞孙静韩沧
- 关键词：靶材
- 氧化钛烧结体的氧含量测定
- 2008年
- 用电子探针X射线微分析(EPMA)方法测定了一系列氧化钛烧结体中的氧含量,并用X射线衍射(XRD)分析对其相态作了研究,所得的结果指出根据产品的氧含量与其某些物理特性之间的内在联系,即可从其表观的某些物理性质估计某一烧结产品的氧化物含量,而所得结果对下一步的镀膜工作具有指导意义。
- 赵鑫沈剑韵王星明黄松涛储茂友郭奋王赞海
- 关键词：氧化钛EPMAXRD
- 非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备被引量：3
- 2019年
- 采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,缓冷工艺制备的粉体呈晶态,结晶主相为R-3m空间群的As_2GeTe_4;差热-热重分析显示,升温至350℃时缓冷粉体As_2GeTe_4成分熔融,400℃时两种粉体均开始快速失重,为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失,确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材,将两种粉体分别升温至340℃,加压20 MPa,保温2 h制备出两种靶材,其中缓冷粉体制备的靶材致密度高,为5. 46 g·cm^(-3),达混合理论密度的99. 5%,形貌表征显示此靶材表面平整,孔洞少,元素分布均匀.
- 潘兴浩储茂友王星明刘宇阳白雪桂涛张朝
- 关键词：非晶半导体粉体靶材致密化
- 一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法
- 本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为：首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB<Sub>2</Sub>粉体，再将自蔓延法制备的ZrB<S...
- 王星明杨磊桂涛白雪刘宇阳储茂友彭程
- 高纯氧化镁粉体的制备方法
- 本发明涉及一种高纯氧化镁粉体的制备方法，属于湿法冶金领域。其制备步骤包括：用去离子水溶解氯化镁，配制氯化镁溶液；根据溶解平衡原理，计算各杂质离子的起始沉淀pH值，确定Fe、Al、Si杂质的沉淀pH范围，加入碱性试剂，调节...
- 王星明何芬段华英张碧田储茂友石志霞孙静韩沧
- 原料处理工艺及气孔演化对AZO靶材烧结致密化的影响被引量：3
- 2017年
- 以ZnO和Al_2O_3粉体为原料,按照98∶2(质量比)球磨混合制备氧化锌铝(aluminum zinc oxide,AZO)粉体,通过扫描电镜和透射电镜观察粉体形貌及均匀性,确立最佳混合工艺;将混合均匀的粉体进行煅烧预处理后进行热压烧结致密化试验,通过差热法分析原料性能,阿基米德法分析靶材密度以及压汞实验分析气孔演化对AZO靶材烧结致密化的影响。结果表明:微纳米粉体在球磨4 hr时Al元素分布均匀性最好,煅烧前的混合粉体在差热分析过程中失重0.43%并伴随放热效应;煅烧处理后粉体形貌类球形,在差热分析实验0℃-1000℃无失重,表明挥发组分排除干净且无异常放热效应,烧结性能得到优化。采用预处理的AZO粉体在不同热压温度和保温时间下制备AZO靶材,分析热压致密过程中平均孔径和闭孔率的变化规律。由此发现:在热压致密化初级阶段(温度900℃~1100℃时),连通气孔发生合并与生长,平均孔径先稍有收缩随后迅速增大为158 nm,同时闭孔率维持在0.5%以下,靶材密度不断上升;当温度升高至1150℃时,连通孔径逐渐缩小至108 nm,大量连通气孔转为闭合状态导致闭孔率迅速上升至7.2%以上,表明体系已经进入到热压深度致密化阶段。在1150℃、18 MPa下,保温时间延长到70 min时,连通气孔合并生长同时闭孔率异常增加至7%,孔径分布范围变宽导致出现反致密化现象;当保温保压时间延长至90 min时,气孔尺寸减小到136 nm,闭孔率下降至3.7%,靶材相对密度上升到96.2%,在较低压力和较短保温时间下实现了AZO靶材的深度致密化。
- 白雪王星明储茂友刘宇阳段华英韩沧
- 关键词：热压靶材孔径煅烧
- 一种纳米硅碳复合材料及其制备方法
- 本发明涉及一种锂离子电池用纳米硅碳复合负极材料及其制备方法，其以二氧化硅和碳组成的多孔电极为原料，通过熔盐电解方法二氧化硅原位电化学还原形成碳载纳米硅的纳米硅碳复合材料。该材料硅和碳之间通过纳米碳化硅连接，是一种冶金级的...
- 卢世刚杨娟玉王星明丁海洋高哲峰
- 文献传递
- 超细氢氧化铝的制备方法
- 本发明为一种超细氢氧化铝的制备方法。由在旋转床超重力条件下的碳分分解和水热处理两道工序组成,本发明的碳分分解反应在旋转床的多孔填料层中进行,极大地强化了反应的传质及微观混合过程,随后的水热处理过程使得到的氢氧化铝凝胶进一...
- 陈建峰郭奋王玉红王星明
- 文献传递
