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王忠燕

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院新疆物理研究所更多>>
相关领域:电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电离辐照
  • 2篇XPS
  • 1篇氮氧化铝
  • 1篇电离辐照效应
  • 1篇选择性吸收膜
  • 1篇氧化铝
  • 1篇太阳能
  • 1篇铪络合物
  • 1篇络合物
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇硅衬底
  • 1篇硅膜
  • 1篇二氧化硅膜
  • 1篇辐照效应
  • 1篇SI
  • 1篇SIO
  • 1篇XPS研究
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 3篇中国科学院
  • 3篇北京市理化分...
  • 1篇北京太阳能研...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 4篇王忠燕
  • 4篇陈萦
  • 3篇刘芬
  • 2篇赵元富
  • 2篇刘昶时
  • 1篇纪海星
  • 1篇尹万里
  • 1篇于凤勤
  • 1篇王殿勋
  • 1篇徐广智

传媒

  • 2篇核技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇1995
  • 3篇1992
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
氮氧化铝选择性吸收膜组织结构的研究被引量:2
1992年
采用表面分析仪及电子显微镜等对AlN_xO_y/Cu选择性吸收膜层进行表面形貌、成分分布、深度剖面原子浓度及原子价态的研究,并探讨了膜层组织结构对光学性能的影响。
郭信章尹万里于凤勤王忠燕陈萦
关键词:太阳能氮氧化铝
掺硼和掺磷硅衬底生长SiO_2膜及其电离辐照效应的XPS研究
1995年
用XPS对在掺硼和掺磷硅衬底上生成的Si-SiO2进行了60Co辐照前后的界面成分分析.结果表明,同一氧化工艺在两种硅衬底上生成的Si-SiO2,在γ辐照前后其硅的二氧化硅芯态能级谱、Si过渡态芯态能级谱及剩余氧态谱均有较大差异;其中,杂质硼比磷对体系在辐照前后的XPS谱的影响更大。四种Si-SiO2的XPS分析显示出衬底杂质与氧化工艺在SiO2形成过程中具有等同的质量控制作用.根据硼、磷的原子基态时的电子组态及扩散性质的差异对实验结果进行了机制分析.
刘昶时赵元富陈萦刘芬王忠燕赵汝权
关键词:硅衬底二氧化硅膜
取代环戊二烯钛、锆、铪络合物的XPS及其价带谱研究
1992年
本文研究取代环戊二烯钛,锆,铪络合物的XPS及其价带谱。分析了在环戊二烯配体上,甲基,乙基,丙基……等取代基在其内壳谱上产生的戏剧性的电子效应。探讨了它们的XPS价带谱中由具最低结合能峰峰位所确定的“电离势”与环戊二烯配体中不同取代基间的关系,指出不同过渡金属元素化合物的价带谱是其金属元素的表征。同时发现不同烧基取代的环戊二烯钛的价带谱中,位于25eV附近的第三峰的相对强度明显增大,这反映为甲基基团在配体中增大的相对权重。
纪海星王殿勋徐广智刘芬陈萦王忠燕
关键词:络合物
抗辐射加固与非加固工艺制备Si/SiO_2电离辐照的XPS深度剖析被引量:7
1992年
采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电场相同条件下辐照,非加固样品的界面区比加固样品界面区宽;同一工艺生长的SiO_2,衬底杂质浓度低的样品其界面区窄于衬底杂质浓度高的样品;辐照样品的Si过渡态密度最高位滞后于未辐照样品的;同时,加固样品Si过渡态及剩余氧的密度最高位出现慢于非加固样品的;衬底杂质浓度高的样品其Si过渡态及剩余氧的密度最高位的出现快于衬底杂质浓度低的样品的;此外含剩余氧的过渡层要比含Si过渡态的过渡层薄。最后根据实验结果,对Si/SiO_2三层模型进行了修正。
刘昶时赵元富刘芬陈萦王忠燕赵汝权
关键词:电离辐照XPS
共1页<1>
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