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王小松

作品数:15 被引量:8H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防基础科研计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 4篇功率器件
  • 4篇光栅
  • 4篇光栅结构
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇真空电子
  • 3篇真空电子技术
  • 3篇太赫兹
  • 3篇功率集成
  • 3篇功率集成电路
  • 3篇赫兹
  • 2篇电流采样
  • 2篇电路技术
  • 2篇亚波长
  • 2篇射频
  • 2篇太赫兹辐射
  • 2篇透射
  • 2篇透射特性

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇王小松
  • 7篇张波
  • 7篇李泽宏
  • 7篇王一鸣
  • 7篇李肇基
  • 5篇张平
  • 3篇易坤
  • 2篇杨舰
  • 2篇王卓
  • 1篇翟向坤

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
射频DMOS功率器件
射频DMOS功率器件,属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分SOI射频DMOS功率器件中,在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的n(或p)埋层,做成具有埋层的部分SOI射频DMOS器件,利用PN结原理增加漏...
李泽宏王小松张波李肇基王一鸣王卓杨舰
文献传递
n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性被引量:2
2006年
提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底的结电容比常规LDMOS和PSOI LDMOS分别降低39.1%和26.5%.1dB压缩点处的输出功率以及功率增益比PSOI LDMOS分别提高62%和11.6%,附加功率效率从34.1%增加到37.3%.该结构器件的耐压比体硅LDMOS提高了14%.
王小松李泽宏王一鸣张波李肇基
智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现被引量:1
2007年
基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智能高压SENSFET器件.流片结果表明,器件宽度为75μm情况下,SENSFET的击穿电压为700V,线性区电阻为10kΩ.设计分析和实验结果吻合得很好.借助该SENSFET器件可以很好地实现智能功率集成电路中高压器件的信号检测和电路的自供电功能.
李泽宏王小松王一鸣易坤张波李肇基
关键词:智能功率集成电路DOUBLERESURFJFET
微纳结构的电磁特性及其太赫兹辐射的研究
随着对太赫兹领域研究的更加深入,太赫兹诸多独特优点也逐渐被发现,而如何可靠地产生太赫兹辐射是目前太赫兹科学发展与应用所面临的亟待解决的问题。如今,微纳周期结构的加工技术取得了长足的发展,利用电子激励微纳周期结构产生的辐射...
王小松
关键词:电磁特性
文献传递
一种增强史密斯帕塞尔辐射的光栅
本发明公开了一种增强史密斯帕塞尔辐射的光栅,属于光栅技术领域。本发明包括电子发射极、光栅齿、光栅槽、金属隔板和电子收集极;电子发射极和电子收集极分别位于光栅结构两端的上方;光栅齿与光栅槽周期性间隔排布;每个光栅槽中均竖直...
张平王小松
文献传递
基于L4的高效可复用设备驱动模型的研究
设备驱动程序在各个系统领域中均有广泛的运用背景,但由于操作系统的各自不同的设计目标以及相对独立的运行环境,导致了目前设备驱动程序不统一、关系复杂,架构混乱,可移植性差。而设备驱动模型概念的提出,主要目的在于管理和维护操作...
王小松
关键词:设备驱动模型微内核操作系统可维护性USB存储设备
文献传递
射频DMOS功率器件
射频DMOS功率器件,属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分SOI射频DMOS功率器件中,在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的n(或p)埋层,做成具有埋层的部分SOI射频DMOS器件,利用PN结原理增加漏...
李泽宏王小松张波李肇基王一鸣王卓杨舰
文献传递
射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计被引量:4
2006年
对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%.
王一鸣李泽宏王小松翟向坤张波李肇基
关键词:射频功率LDMOS截止频率
一种表面波转化为Smith-Purcell辐射的光栅结构
本发明公开了一种将表面波转化为Smith‑Purcell辐射的光栅结构,属于真空电子技术领域。本发明将具有两个周期的亚波长孔阵列叠合在一起,上下孔阵列中的场可以通过通孔相互耦合。发射极发射的电子掠过周期较小的孔阵列一侧,...
张平潘依林王小松
文献传递
高压SensorFET器件
高压SensorFET器件,属于半导体功率器件技术、功率器件传感技术和功率集成电路技术领域。包括具有横向JFET结构和纵向JFET结构的高压采样用FET器件。具有横向JFET结构的功率采样用FET器件是通过p/或n栅区(...
李泽宏易坤王小松王一鸣张波李肇基
文献传递
共2页<12>
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