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王凤莲

作品数：7 被引量：12H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家攀登计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇半导体
  • 2篇砷化铟
  • 2篇砷化镓
  • 2篇自组织生长
  • 2篇INAS量子...
  • 1篇导体
  • 1篇碘离子
  • 1篇短周期
  • 1篇应变层
  • 1篇应变层超晶格
  • 1篇振荡
  • 1篇蒸气
  • 1篇入射
  • 1篇升华
  • 1篇探测器
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇转换器件
  • 1篇自组织

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇王凤莲
  • 3篇郑厚植
  • 3篇陈宗圭
  • 3篇段晓峰
  • 2篇王志明
  • 2篇邓元明
  • 2篇徐仲英
  • 2篇封松林
  • 2篇吕振东
  • 1篇韩培德
  • 1篇李建明
  • 1篇徐嘉东
  • 1篇杨小平
  • 1篇杨小平
  • 1篇江德生
  • 1篇王若桢
  • 1篇高旻
  • 1篇种明
  • 1篇刘伟
  • 1篇张伟

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1988
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种离子轰击减薄装置
本实用新型公开了一种新的离子轰击减薄装置，它既可以选用氩离子束流轰击样品，又可以选用碘离子束流轰击样品，设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。利用这种装置能够制备更多种材料的薄膜样品，满足透射电子显微镜...
王凤莲褚一鸣陆珉华
文献传递
用小角度解理技术制备ＩｎＰ的ＴＥＭ样品
王凤莲金星
关键词：半导体工艺半导体材料
自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究被引量：5
1997年
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
王志明邓元明封松林吕振东陈宗圭王凤莲徐仲英郑厚植高旻韩培德段晓峰
关键词：量子点自组织生长砷化铟
自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究被引量：3
1998年
利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１７ＭＬ变成小于１５ＭＬ．透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的一个发光峰．
王志明封松林吕振东杨小平陈宗圭宋春英徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
关键词：自组织砷化镓
GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究被引量：4
1996年
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还研究了不同覆盖度的ＩｎＡｓ层的光致发光（ＰＬ）特性，结果发现在成岛前后，它们的ＰＬ特性有明显差异．
杨小平张伟陈宗圭王凤莲田金法邓元明郑厚植高旻段晓峰
关键词：砷化镓砷化铟半导体结构
提高半导体光电转换器件性能的方法
本发明涉及一种半导体光电转换器件，其是将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于90度的夹角θ。其可提高半导体光电转换器件的光生电流和光电转换效率，其特点是倾斜半导体光电转换器件，使器件表面与入射光不垂直，而成一定的夹角。...
李建明种明杨丽卿徐嘉东胡传贤段晓峰高旻朱建成王凤莲
文献传递
InGaAs－GaAs　短周期应变层超晶格调制反射光谱中的　Franz－Keldysh　振荡
1994年
本文在Ｐ－ｉ－ｎ结构的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡，通过对Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡的分析，推算出超晶格区内建电场大小；讨论了内建电场对超晶格微带电子的影响，最后指出Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡可以作为检验短周期超晶格样品质量的一种手段．
刘伟江德生王若桢周钧铭王凤莲
关键词：INGAAS反射光谱
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