王全树
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 低暗电流的正面进光高速InGaAs/InP光电二极管
- 本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流...
- 曾庆明李献杰蒲运章乔树允王全树
- 关键词：INGAASINP光电探测器光电二极管
- 文献传递
- 通信用高速光电探测器的研究开发
- 本文介绍InGaAs PIN高速光电探测器的结构设计、批量生产技术、可靠性保证以及测试技术,并给出了系列产品的主要性能.
- 曾庆明李献杰乔树允王全树
- 关键词：INGAAS光电探测器光纤通信
- 文献传递
- 高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器被引量：1
- 2003年
- 叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～
- 曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋
- 关键词：静态分频器异质结双极晶体管
- 1.55μm光发射OEIC技术研究被引量：2
- 2002年
- 采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。
- 李献杰曾庆明徐晓春刘伟吉敖金平王全树杨树人赵方海柯锡明王志功刘式墉梁春广
- 关键词：光发射光电集成电路INP
- 单片集成长波长光接收机被引量：5
- 2002年
- 介绍了利用InGaAs长波长金属 半导体 金属 (MSM )光探测器与InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管 (HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等 ,解决了工艺兼容性问题 ,实现了 2 .
- 敖金平刘伟吉李献杰曾庆明赵永林乔树允徐晓春王全树
- 关键词：OEIC单片集成光接收机
- GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
- 2000年
- 叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
- 曾庆明徐晓春刘伟吉李献杰敖金平王全树郭建魁赵永林揭俊锋
- 关键词：GAASHBT微波单片集成电路
- InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
- 2005年
- 从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
- 李献杰蔡道民赵永林王全树周州曾庆明
- 关键词：INP自对准工艺湿法腐蚀
- InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
- 从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/...
- 李献杰蔡道民赵永林王全树周州曾庆明
- 关键词：自对准工艺湿法腐蚀双极晶体管
- 文献传递
- 与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺被引量：1
- 1999年
- 介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。
- 李献杰曾庆明蔡克理敖金平赵永林焦智贤王全树郭建魁
- 关键词：倒装焊半导体光电器件凸点
- 高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器
- 本文采用AlGaAs/GaAs HBT作有源器件,电流型逻辑,设计、制作了D-触发器和静态分频器,通过实验给出了其输入输出波形.
- 曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋
- 关键词：触发器静态分频器ALGAAS/GAAS
- 文献传递
