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熊敏

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术核科学技术动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 5篇晶格
  • 5篇分子束外延生...
  • 5篇INSB薄膜
  • 4篇探测器
  • 4篇红外
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 4篇衬底
  • 2篇岛状
  • 2篇电子密度
  • 2篇多量子阱
  • 2篇异质外延生长
  • 2篇应力
  • 2篇语言编制
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇设计方法
  • 2篇探测器材料

机构

  • 15篇哈尔滨工业大...

作者

  • 15篇熊敏
  • 12篇李美成
  • 6篇王洪磊
  • 4篇张森
  • 4篇陈雪飞
  • 2篇李洪涛
  • 2篇刘礼华
  • 2篇肖天鹏
  • 2篇刘晓明
  • 2篇赵连城

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法
量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法，它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法，材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是：建立物理...
李美成张森熊敏陈雪飞
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一种GaAs基InAs<Sub>1-x</Sub>Sb<Sub>x</Sub>/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法
一种GaAs基InAs<Sub>1-x</Sub>Sb<Sub>x</Sub>/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs<Sub>1-x</S...
刘晓明李美成熊敏李洪涛赵连城
GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法
GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法，它涉及的是InSb薄膜外延生长过程及制备工艺的技术领域。它是为了克服现有方法，存在生长速率慢、成本高，及不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的问题。它的模拟方法步骤为：(一...
李美成熊敏王洪磊
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光导型双色紫外红外探测器及其制备方法
光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层...
李美成熊敏张森陈雪飞
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GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法
GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的InSb薄膜的外延制备工艺。为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10<Su...
李美成熊敏王洪磊
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不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法
不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区...
李美成王洪磊熊敏刘礼华肖天鹏
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量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法
量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法，它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法，材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是：建立物理...
李美成张森熊敏陈雪飞
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广义预测控制在超导腔低温系统中的应用研究
从2003年3月开始，北京正负电子对撞机重大改造项目(简称BEPCⅡ)中低温系统的工程设计正式启动。由于在改造中加入了超导设备，所以低温系统成为BEPCⅡ项目中的关键部分。其中超导腔低温恒温器的液氦液位是BEPCⅡ低温系...
熊敏
关键词：广义预测控制算法液位控制半实物仿真正负电子对撞机
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一种GaAs基InAs<Sub>1-x</Sub>Sb<Sub>x</Sub>/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法
一种GaAs基InAs<Sub>1-x</Sub>Sb<Sub>x</Sub>/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs<Sub>1-x</S...
刘晓明李美成熊敏李洪涛赵连城
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GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长及其结构与性能
本文采用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延 InSb薄膜，采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)与X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜...
熊敏
关键词：分子束外延INSB薄膜电学性能表面形貌
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