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汪新颜

作品数:10 被引量:7H指数:1
供职机构:浙江理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省教育厅科研计划博士科研启动基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇氮化硅
  • 5篇等离子体增强
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 4篇等离子体增强...
  • 4篇沉积温度
  • 3篇氮化
  • 2篇电解抛光
  • 2篇润滑
  • 2篇润滑性
  • 2篇润滑性能
  • 2篇纱线
  • 2篇纱线毛羽
  • 2篇抛光
  • 2篇膜层
  • 2篇活塞
  • 2篇活塞环
  • 2篇硅烷
  • 2篇纺纱
  • 2篇钢领

机构

  • 10篇浙江理工大学

作者

  • 10篇汪新颜
  • 6篇姚奎鸿
  • 5篇杜平凡
  • 5篇席珍强
  • 4篇徐敏
  • 4篇王勇
  • 3篇金达莱
  • 2篇姚剑
  • 2篇王龙成
  • 2篇马照军
  • 2篇王勇
  • 1篇周俊
  • 1篇朱成良
  • 1篇韩荣罗
  • 1篇杨红

传媒

  • 3篇浙江理工大学...
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 2篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钢铁表面沉积氮化硅膜研究
传统相变热处理和化学热处理用于钢铁表面改性已很难满足现代工业,尤其是精密加工制造业的需要。氮化硅膜以其硬度高、耐磨性和耐腐蚀性好,具有良好的自润滑性等优点,引起了许多材料工作者的关注。将其用于钢铁表面改性,将极大提高钢铁...
汪新颜
关键词:化学热处理表面改性氮化硅膜表面性能化学气相沉积等离子体增强
文献传递
活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,系统抽真空至5×10<Sup>-3</Sup>Pa,以硅烷和氨气为反应气源...
杜平凡席珍强王龙成徐敏汪新颜姚剑
文献传递
硅烷流量对硅烷热CVD法制备纳米硅粉的影响被引量:1
2007年
纳米硅粉的制备方法很多,但采用硅烷(SiH4)热CVD法制备纳米硅粉较于其它方法有很多优势。文章研究了在特定的温度和压力下硅烷流量对硅粉制备的影响,并对制得的硅粉进行XRD、SEM和粒径分析表征,从而获得硅烷热CVD法制备硅粉一些关于硅烷流量等关键控制参数,为该法多参数优化控制以及将来的大规模工业应用做准备。
汪新颜金达莱马照军王勇姚奎鸿
关键词:硅烷硅粉
氮化硅涂层钢领及其制备方法
本发明公开了一种氮化硅涂层钢领及其制备方法。在平面钢领的工作面上均匀沉积一层氮化硅涂层。制备方法是先对钢领工作面进行抛光和清洗处理;再将钢领放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,沉积面朝上,系统抽至真空,以硅烷和氨气为...
杜平凡王勇姚奎鸿席珍强汪新颜徐敏
文献传递
六角状SmF_3:Eu^(3+)纳米晶体的制备与表征被引量:1
2008年
采用水溶液沉淀法成功地制备了具有六角状结构的SmF3:Eu3+纳米晶体。分别采用了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和光致发光光谱仪(PL)等手段对产物的晶体结构、形貌、光致发光性能进行了表征。结果表明:产物为纯相六方晶系的SmF3晶体,且具有由规则六方状结构、尺寸分布较均匀等特点。最后对掺杂5mol%Eu3+离子的SmF3晶体的发光光谱作了初步的分析,发现其在波长为325 nm的激发源激发下,发出强烈的红光且单色性较好。
韩荣罗朱成良汪新颜姚奎鸿
关键词:光致发光
活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,系统抽真空至5×10<Sup>-3</Sup>Pa,以硅烷和氨气为反应气源...
杜平凡席珍强王龙成徐敏汪新颜姚剑
文献传递
氮化硅涂层钢领的制备方法
本发明公开了一种氮化硅涂层钢领的制备方法。在平面钢领的工作面上均匀沉积一层氮化硅涂层。制备方法是先对钢领工作面进行抛光和清洗处理;再将钢领放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,沉积面朝上,系统抽至真空,以硅烷和氨气为反...
杜平凡王勇姚奎鸿席珍强汪新颜徐敏
文献传递
流态床CVD法制氮化硅超微粉过程分析及实验验证被引量:1
2007年
分析了硅烷氨解法制备氮化硅超微粉的化学气相沉积(CVD)过程,讨论了制备氮化硅超微粉体的3个关键工艺要素,并采用立式双温区流态床实验装置实现氮化硅超微粉体的制备,获得粉体合成过程的一些关键控制参数。
王勇周俊汪新颜姚奎鸿
关键词:流态床CVD氮化硅硅烷热力学
RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究被引量:1
2008年
采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜。用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响。
杜平凡席珍强汪新颜金达莱王勇
关键词:氮化硅薄膜RF-PECVD沉积速率
热CVD法制备纳米硅粉及其表征被引量:4
2008年
采用简单的热CVD反应法成功制备了纳米硅粉、X射线衍射和透射电镜结果表明:该产物是无定形的球形纳米粉体,粒径为20~100nm.粉体粒径随分解温度敏感,温度升高粒径减小,但高于700℃时急剧增加.傅立叶红外分析表明,粉体存在Si~H键,且H含量随分解温度升高而降低.进一步研究表明,该无定形纳米硅粉经700℃退火处理可转变为晶体硅.
杨红金达莱马照军王勇汪新颜姚奎鸿
共1页<1>
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