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江洋

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇应力松弛
  • 1篇ALGAN/...

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 1篇江洋
  • 1篇蔡树军
  • 1篇敦少博
  • 1篇尹甲运
  • 1篇房玉龙
  • 1篇李静强
  • 1篇刘波
  • 1篇陈弘
  • 1篇冯志红

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电应力致ALGAN/GAN HEMT的应力松弛研究
GAN HEMT器件的常温反偏老化实验中发现器件的栅漏电流明显增大。微区拉曼研究发现,栅漏电的增加伴随着HEMT器件沟道GAN材料张应力的增加。研究表明此结果和逆压电效应有关。外加反向电场致使ALGAN势垒层形变增加,当...
敦少博李静强房玉龙尹甲运刘波冯志红蔡树军江洋陈弘
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