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毛裕芳

作品数:7 被引量:19H指数:3
供职机构:中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:核科学技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇核科学技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇晶体
  • 3篇探测器
  • 3篇光电
  • 2篇读出
  • 2篇性能研究
  • 2篇雪崩
  • 2篇元件
  • 2篇闪烁探测器
  • 2篇闪烁体
  • 2篇钨酸
  • 2篇钨酸铅
  • 2篇钨酸铅晶体
  • 2篇光产额
  • 2篇光电二极管
  • 2篇二极管
  • 2篇辐照损伤
  • 2篇高能
  • 2篇高能物理
  • 2篇产额
  • 1篇雪崩光电二极...

机构

  • 7篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 7篇毛裕芳
  • 6篇陈端保
  • 6篇何景棠
  • 5篇李祖豪
  • 5篇董晓黎
  • 3篇朱国义
  • 1篇汪兆民
  • 1篇金炳年
  • 1篇陈宏芳
  • 1篇宫竹芳
  • 1篇李澄
  • 1篇汪晓莲
  • 1篇许咨宗

传媒

  • 2篇高能物理与核...
  • 1篇核技术
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇第8届全国核...
  • 1篇全国核电子学...

年份

  • 2篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1984
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
几种新型闪烁晶体性能研究
本文报道对PbWO4、CsI(Tl)和BSO三种晶体性能研究的若干结果。包括晶体的激发光谱和荧光光谱、光产额、发光衰减时间和抗辐照损伤的能力等特性。
何景棠朱国义毛裕芳陈端保董晓黎李祖豪
关键词:钨酸铅晶体硅酸铋晶体光产额辐照损伤
文献传递
硅光电二极管作为CsI(Tl)晶体读出元件的实验研究
1996年
报道了硅光电二极管作为CsI(Tl)晶体读出元件的实验研究.测量了日本Hamamatsu生产的两种硅光电二极管的读出性能,包括能量分辨率与偏压、成形时间、灵敏面积和晶体尺寸的关系.
何景棠陈端保李祖豪毛裕芳董晓黎
关键词:硅光电二极管能量分辨率闪烁体
新型雪崩光电二极管和CsI(Tl)晶体组成的闪烁探测器被引量:9
1996年
本文介绍s5345型雪崩光电二极管用于CsI(Tl)晶体光信号的读出,测量了γ射线的能谱,对应于 ̄(22)Na的1.27MeV的入射能量,得到6.8%的能量分辨率。并对能量分辨率与光耦合面积及晶体尺寸、成形时间、偏压的关系等进行了测量。将雪崩光电二极管和CsI(Tl)晶体组成一种新型的闪烁探测器的实验研究这在国内尚属首次。
何景棠陈端保李祖豪毛裕芳董晓黎
关键词:晶体雪崩光电二极管闪烁探测器
无机闪烁体在高能物理上的应用
能物理实验中,对光子的探测占有相当重要的地位。对光子的探测主要是通过测量它在物质中产生的电磁簇射来实现的。随着高能加速器能量的不断提高,所研究的光子能量也越来越高,这就要求探测器所用的材料既要有高的阻止能力,又要有较好的...
毛裕芳
关键词:闪烁体高能物理学光子探测器
钨酸铅晶体性能研究被引量:3
1997年
对钨酸铅晶体的激发光谱和荧光光谱、绝对光产额和相对光产额以及发光衰减时间的测试结果表明,钨酸铅晶体可在高能物理实验中用于测量高能电磁簇射粒子。
何景棠毛裕芳董晓黎陈端保朱国义金炳年陈宏芳许咨宗李澄汪晓莲汪兆民宫竹芳
关键词:钨酸铅晶体光产额高能物理
CsI(TI)晶体的辐照损伤研究被引量:8
1997年
本文报道 CsI(T1)晶体辐照损伤的实验研究,结果表明,CsI(T1)晶体具有辐照损伤效应.对被辐照损伤过的 CsI(T1)晶体作恢复研究,表明在200℃下加热4小时,可使辐照损伤的 CsI(T1)晶体得到恢复.
何景棠毛裕芳董晓黎陈端保李祖豪
关键词:晶体辐照损伤自然恢复
新型雪崩硅光二极管作为闪烁探测器读出元件的应用研究
本文介绍了用新型雪崩硅光二极管(APD:Avalanch Photodiode)和CsI晶体组成的闪烁探测器对γ射线源能谱进行了测量,并将其测量结果与光电倍增管的测量结果进行了比较。我们拟将在τ-C工厂前向亮度探测器的电...
何景棠陈端保朱国义毛裕芳董小黎李祖豪
关键词:闪烁探测器光电倍增管
文献传递
共1页<1>
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