林立谨
- 作品数：2 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度被引量：4
- 2000年
- 薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关 .本文研究了在恒电流TDDB(Time Depen dentDielectricBreakdown)应力条件下 8 9nm薄氧化层的电学特性退化、击穿情况 .研究表明 ,电子在穿越SiO2 晶格时与晶格相互作用产生陷阱 ,当陷阱密度达到某一临界密度Nbd时 ,氧化层就击穿 .Nbd可以用来表征氧化层的质量 ,与测试电流密度无关 .击穿电量Qbd随测试电流密度增大而减小可用陷阱产生速率的增长解释 .临界陷阱密度Nbd随测试MOS电容面积增大而减小 ,这与统计理论相符 .统计分析表明 ,对于所研究的薄氧化层 ,可看作由面积为 2 5 6× 10 -14cm2 的“元胞”构成 ,当个别“元胞”中陷阱数目达到 13个时 ,电子可通过陷阱直接隧穿 ,“元胞”内电流突然增大 ,产生大量焦耳热 ,形成欧姆通道 ,氧化层击穿 .
- 林立谨张敏
- 关键词：薄栅氧化层击穿特性二氧化硅
- TDDB击穿特性评估薄介质层质量被引量：10
- 2000年
- 与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质量 .Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系 .TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷 .TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于 10nm的栅介质质量的影响 .它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法 .
- 胡恒升张敏林立谨
- 关键词：VLSI集成电路TDDB击穿特性
