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林玉松

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：山东师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇镓
  • 4篇扩散炉
  • 3篇电参数
  • 3篇晶闸管
  • 3篇铝
  • 2篇电力半导体
  • 2篇电力半导体器...
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 1篇低浓度
  • 1篇氧化硅
  • 1篇石英管
  • 1篇体物
  • 1篇抛光
  • 1篇氢气
  • 1篇晶体管
  • 1篇扩散
  • 1篇扩散法
  • 1篇高压大电流
  • 1篇工艺生产

机构

  • 7篇山东师范大学

作者

  • 7篇林玉松
  • 5篇刘秀喜
  • 3篇高大江
  • 2篇李萍

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1991
  • 3篇1990
  • 1篇1989
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
石英管铝杂质吸收效应的分析与研究
1990年
本文根据实验和样品的光谱分析、电子探针分析的结果,证明石英管对铝杂质具有很强的吸收效应,是导致铝蒸汽压低和硅片表面扩铝浓度小的主要原因之一,并介绍了相应措施。
刘秀喜林玉松高大江
关键词：石英管晶闸管
开管铝镓一步扩散法的应用研究
刘秀喜林玉松高大江
关键词：晶闸管扩散
一种开管铝镓扩散工艺
一种开管铝镓扩散工艺，属于高压大电流电力半导体器件生产领域中的一种一次P型扩散工艺。本发明是以硅片上涂布铝乳胶源扩散和开管镓扩散在同一扩散炉内经一次高温连续完成为特征的。本发明工艺简单，生产周期短，容易操作，稳定可靠，成...
林玉松刘秀喜高大江
文献传递
SiO2／Si系开管扩镓工艺对器件性能的改善
1990年
本文采用SiO2/Si系开管扩镓工艺，消除了合金点和腐蚀抗，扩散均匀性，重复性和一致性较好，该工艺用于生产高反压晶体管和晶闸管，能显著的改善器件性能，扩散质量和电气性能均优于现行的硼铝涂层及闭管镓（或铝镓）扩散工艺，根据在裸系Si和SiO2/Si系中镓的扩散行为，对镓扩散质量进行了分析。
刘秀喜林玉松
关键词：二氧化硅硅晶体管晶闸管
一种开管铝镓扩散工艺
一种开管铝镓扩散工艺。本发明是属于高压大电流电力半导体器件生产领域中的一种扩散工艺。该工艺是由在硅片上涂布铝乳胶源扩散和开管镓扩散同步进行为特征的。整个扩散过程是在二氧化硅乳胶源经高温后形成的氧化膜及氮气(或惰性气体)保...
林玉松刘秀喜高大江
文献传递
一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺
一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺，属于NPN型硅台面高反压管生产工艺。将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成P型基区，在磷...
林玉松李萍
镓在硅台面管生产中的应用技术
一种镓在硅台面管生产中的应用技术，属于NPN型硅台面高反压管生产工艺。将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成P型基区，在磷扩散再分布后...
林玉松李萍
文献传递
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