杨燕
- 作品数：25 被引量：42H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 纤锌矿型GaN电子迁移率的计算被引量：1
- 2005年
- 考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓电子漂移迁移率,霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化.计算表明,温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加,200K时达到峰值1.22,温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小.此外,在包括室温在内的较高温度下,极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用.温度较低时,声学波压电散射对电子迁移率的影响较大.
- 杨燕郝跃
- 关键词：氮化镓
- npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析
- 2006年
- 基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.
- 龚欣马琳张晓菊张金凤杨燕郝跃
- 关键词：GAN物理模型异质结双极晶体管
- AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT性能的影响被引量：1
- 2006年
- 采用数值算法自洽求解Poisson和Schrdinger方程,计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高Al含量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的导带结构、电子浓度以及二维电子气(2DEG)薄层电荷密度的影响.利用所获得的精确薄层电荷密度与栅电压的关系,采用非线性电荷控制模型解析求解了应变弛豫度对AlxGa1-xN/GaNHEMT直流输出特性的影响.计算表明,应变弛豫度为0时所获得的Al0.50Ga0.50N/GaNHEMT的最大二维电子气薄层电荷密度为2.42×1013cm-2,最大漏电流为2482.8mA/mm;应变弛豫度为1时所获得的最大二维电子气薄层电荷密度为1.49×1013cm-2,最大漏电流为1149.7mA/mm.模拟结果同已有的测试数据相比,符合较好.对模拟结果的分析表明,对高Al含量的AlGaN/GaNHEMT进行理论研究时需要考虑应变弛豫度的影响,减小AlGaN势垒层的应变弛豫度可显著提高器件的性能.
- 杨燕郝跃张进城王冲冯倩
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型被引量：5
- 2005年
- 基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 .
- 杨燕王平郝跃张进城李培咸
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管解析模型极化效应
- AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析被引量：2
- 2007年
- 对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.
- 倪金玉张进成郝跃杨燕陈海峰高志远
- 关键词：ALGAN/GAN异质结
- 掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
- 2005年
- 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
- 王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴
- 关键词：4H-SIC蒙特卡罗研究
- AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触被引量：3
- 2006年
- 通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3·30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.
- 杨燕王文博郝跃
- 关键词：ALGAN/GANTI/AL/NI/AU欧姆接触高电子迁移率晶体管
- 高亮度GaN蓝光LED技术
- 郝跃李培咸张进城冯倩谢永桂过润秋张国华王省莲王冲周小伟杨燕马晓华龚欣张金凤陈军峰
- 该技术包含GaN材料生长用MOCVD设备制造技术和高亮度GaN蓝光LED制造技术。研制了MOCVD设备及恒流配气技术、MOCVD系统控制软件、P型GaN大气退火技术、InGaN/GaN多量子阱结构温度条件钝化工艺、InG...
- 关键词：
- 关键词：GAN材料MOCVD设备蓝光LED
- 2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
- 2004年
- 目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。
- 王平杨银堂崔占东杨燕付俊兴
- 关键词：迁移率漂移速度
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和大功率应用方面具有比Si和GaAs基器件更大的优势,...
- 杨燕
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管极化效应自热效应接触电阻率
- 文献传递
