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杨伟毅

作品数:21 被引量:37H指数:4
供职机构:南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 13篇电子电信
  • 7篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇电子能
  • 8篇电子能谱
  • 7篇光电子能谱
  • 6篇砷化镓
  • 6篇类金刚石
  • 4篇碳膜
  • 4篇类金刚石碳膜
  • 4篇光电
  • 4篇光电阴极
  • 4篇X射线
  • 4篇GAAS
  • 3篇光阴极
  • 3篇CS
  • 2篇射线
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇微结构
  • 2篇微通道板
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇类金刚石膜

机构

  • 13篇南京理工大学
  • 7篇华东工学院
  • 1篇中国科学院电...
  • 1篇华东工程学院

作者

  • 21篇杨伟毅
  • 11篇汪贵华
  • 9篇常本康
  • 3篇刘元震
  • 3篇高频
  • 3篇王广林
  • 2篇徐登高
  • 2篇富容国
  • 2篇李晓峰
  • 2篇车晶
  • 2篇王广民
  • 1篇邓金祥
  • 1篇钱芸生
  • 1篇宗志园
  • 1篇夏长虹

传媒

  • 7篇真空科学与技...
  • 3篇华东工学院学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇真空与低温
  • 2篇南京理工大学...
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1993
  • 4篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1989
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
1992年
UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
杨伟毅王广林高频夏长虹邓金祥
关键词:砷化镓表面化学
用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺被引量:1
2002年
用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30
汪贵华杨伟毅宗志园
关键词:GAAS砷化镓光电阴极
类金刚石碳膜的微结构与光学特性
1992年
利用付里叶变换红外(FTIR)光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇电子谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子轰击能量和低CH_4压强下,射频等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性,膜内主要以sp^3 C-C键为主,折射率(红外)、光学带隙几乎为常数。
杨伟毅龚文宪
关键词:类金刚石碳膜微结构
二代像增强器 MCP 的 XPS 分析被引量:2
1998年
为降低微通道板(MCP)的噪声,提高二代像增强器的产品成品率,该文利用X光电子能谱(XPS)对二代倒像管和近贴管的MCP电极表面进行组份分析。实验发现用氩离子(Ar+)溅射3min后,在近贴管的MCP电极表面检测不到碱金属元素钾(K)、钠(Na),而在倒像管MCP电极表面K的含量为2.16%,Na的含量为5.64%,且在MCP电极表面发现铅(Pb)原子谱峰。实验分析认为,MCP电极表面吸附的碱金属K,Na与从MCP体内偏析于表面的Pb是二代像增强器背景噪声的主要来源之一。
车晶杨伟毅李晓峰常本康
关键词:像增强器微通道板能谱分析X光电子能谱
GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析被引量:2
2000年
利用变角 X射线光电子能谱 (XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算 Ga As(1 0 0 )在60 0— 675℃热退火处理后表面组分 /深度的定量变化 .在 Ga As表面氧化物与衬底之间存在一过渡层 ,即弛豫层 ,该层在自然情况下为富 As的结构 ,经 60 0℃以上的温度退火后 ,成为富 Ga的结构 .实验和计算发现该层的厚度和 Ga的相对含量随退火温度增加而增大 ,即弛豫层中的Ga含量由 53.4%变为 62 .1 % ,弛豫层厚度由 1 .3nm变为 2 .2 nm.
汪贵华杨伟毅常本康
关键词:砷化镓X射线光电子能谱热退火
类金刚石膜的电子能谱(XAES,XPS)研究被引量:1
1992年
利用X射线光电子能谱仪和X射线激发的俄歇电子谱CKLL(XAES)的一次微分析,研究了DLC膜,发现由rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性(在200~800℃退火温度下,真空加热1h后),以及DLC膜/Si、DLC膜/Ge界面处含有少量的Si-C、Ge-C键。
杨伟毅
关键词:类金刚石膜电子能谱DLC膜
远紫外CsI/Au/Lif光阴极特性研究
1991年
本文作了CsI/Au/LiF远紫外光电发射特性研究。在105~167um波长范围本征发射平均量子效率15-18%电子/光子。423K温度退火处理半小时前后,ESCA分析表明CsI层与Au膜具有高度的相容性。阈值光电发射随CsI表面C和O_2污染而下降。
刘元震杨伟毅常本康
关键词:光阴极ESCA
高增透的类金刚石碳膜的红外吸收特性研究被引量:3
2000年
利用射频等离子体分解甲烷的技术在锗片上沉积了非晶结构的类金刚石碳膜。傅里叶红外光谱仪测量显示镀覆了类金刚石碳膜的锗片在红外范围内具有高增透作用 ,特别在 174 0~ 2 0 4 4cm-1其峰值透过率高达 99% ,在 94 5.7cm-1(10 .6 μm)处透过率为 94 .5%。利用实测的透过率曲线和改进的透过率公式 ,获得了该膜在 2 .5~ 12 μm的吸收系数 ,在 170 0~ 2 6 0 0 cm-1范围内的吸收系数接近于 0 ,在 10 .6 μm的吸收系数为 2 30 cm-1,膜主要由 sp3的 C- H键结构组成 。
汪贵华杨伟毅常本康
关键词:类金刚石碳膜
二十二碳烯酸 LB 膜热稳定性的研究
1997年
有机材料LB膜在热释电成像器件方面应用具有较大的潜力,但稳定性较差是其缺点,该文研究了二十二碳烯酸(22-TA)粉末样品及其LB膜退火前后的X光电子能谱,研究了其分子结构的热稳定性;采用X光小角衍射测量了22-TALB膜的晶状结构及其常温下随时间的变化,分析了这种热诱导变化的产生原因。所得结果对设计制作性能稳定的热释电有机LB膜有一定的帮助。
王广民汪贵华杨伟毅
关键词:LB膜热稳定性
类金刚石碳膜的红外特性研究被引量:4
1996年
用射频等离子体方法分解甲烷,在Ge片上制备了类金刚石碳(DLC)膜。该膜折射率在2左右,具有较好的增透作用。双面镀DLC膜系统的红外透射比,随膜厚不同,其极大值在3.8~10.6μm范围内,在10.6μm处红外透射比达94.5%、镀制在直径为100mmGe基片上的DLC/Ge/DLC膜系、在10.6μm处,膜片中心的红外透射比为93.9%,距中心不同距离的5个点的红外透射比为91.1%,该膜系具有非常好的均匀性和红外增透性。通过计算获得了DLC膜的光学吸收系数曲线,该膜在3.8μm附近吸收系数为10cm-1;在10.6μm处吸收系数为600cm-1,并对该吸收曲线进行了讨论。
汪贵华王广民杨伟毅
关键词:类金刚石碳膜折射率
共3页<123>
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