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李志成

作品数:16 被引量:29H指数:3
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺电子电信理学更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 7篇金属学及工艺
  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇单晶
  • 5篇压痕
  • 5篇微观结构
  • 4篇电子显微镜
  • 4篇显微镜
  • 4篇GAAS单晶
  • 3篇合金
  • 2篇原位观察
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓单晶
  • 2篇时效
  • 2篇冷轧
  • 2篇晶化
  • 2篇非晶
  • 2篇TINI合金
  • 2篇脆性
  • 2篇GAAS
  • 1篇单晶高温合金
  • 1篇低周
  • 1篇低周疲劳

机构

  • 16篇中国科学院金...
  • 3篇电子科技大学
  • 2篇东北大学
  • 2篇中山学院
  • 1篇东北师范大学

作者

  • 16篇李志成
  • 11篇徐永波
  • 9篇刘路
  • 6篇李井润
  • 3篇贺连龙
  • 2篇邹壮辉
  • 2篇李德辉
  • 1篇杨继红
  • 1篇单智伟
  • 1篇王牧
  • 1篇谭若兵
  • 1篇高国忠

传媒

  • 3篇金属学报
  • 3篇材料研究学报
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇2004年中...

年份

  • 4篇2004
  • 3篇2003
  • 5篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1994
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
使用铝电极的BaPbO_3陶瓷的PTCR效应被引量:2
2004年
为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数 (PTCR)的高居里点陶瓷材料 ,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料 .实验发现 ,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率 ,且呈现出和金属导体一样的电导体特征 ;使用铝电极的BaPbO3基陶瓷体表现出PTCR特性 ,并且这种特性可以通过调整掺杂物的量进行改善 .利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对陶瓷的微观结构进行了表征 .微观结构分析表明 ,一薄层的烧结陶瓷表层为具有金属性质的正交结构BaPbO3纳米相 ,并由此使其表现出极低的电阻率 ;具有PTCR特性的陶瓷体内部是由具有畴结构的铁电相组成 ,所以除去烧结陶瓷表层后 ,喷镀铝电极的陶瓷体表现出正电阻温度效应 .
李井润李志成徐永波
关键词:电阻率微观结构
时效对Mg-Y-Nd合金的影响被引量:12
2003年
研究了Mg-Y-Nd合金时效过程中的硬化软化现象。在时效初期(473 K/2 h左右)出现了一次明显的时效硬化峰,之后硬度急剧下降;然后合金的硬度缓慢增加,出现小幅二次硬化现象;523K/600 h后,合金出现软化现象,微观结构的分析结果表明,初次时效峰是合金中析出了5 um大小的MgY弥散分布沉淀相所致;随后弥散相溶解消失,材料出现软化;在时效过程中β沉淀相的析出、增多和板条状组织的形成导致材料二次硬化,长时间时效后β沉淀相的聚集长大,以及在α/β界面产生纳米晶MgO区导致材料再次软化。
李德辉李志成刘路邹壮辉
关键词:金属材料时效硬化沉淀相微观结构
电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大被引量:1
2003年
利用高分辨电子显微镜对电子束辐照诱发非晶GaAs晶化过程现象进行了原位观察.结果表明,具有几个原子大小的原子簇在辐照初期产生,并作为晶化的核心在随后的辐照过程中不断长大;大部分结晶晶粒保持相同的晶体取向,其余少量不同取向的晶粒也与前者保持孪晶关系.电子束辐照诱发非晶GaAs晶化的速率与电子束流密度有关;电子束辐照非晶GaAs结晶不是电子束诱发材料温度升高的结果,而与电子能量有关.本文对辐照晶化的机制和结晶过程进行了讨论.
李志成刘路贺连龙徐永波
关键词:晶化电子束辐照原位观察
压痕诱发GaAs单晶的塑性变形
2004年
利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明,压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进行了分析。结果表明位错形态与Fran-Read位错的形核、运动和相互作用有关,而孪生过程与形变过程中扩展位错的产生与运动密切相关。
李井润李志成徐永波
关键词:GAAS单晶压痕电子显微镜
时效对Mg-RE合金性能与结构的影响
对几种Mg-RE合金时效过程中的硬化软化现象进行了研究。结果表明,在时效初期2h左右,所有合金均出现了一次明显的时效硬化峰,之后硬度急剧下降;继续时效,合金硬度变化不大或出现小幅度二次硬化现象;长时间时效后,合金出现软化...
李德辉李志成刘路高国忠徐永波邹壮辉
关键词:时效维氏硬度微观结构
文献传递
压痕下GaAs单晶结构演变的微观研究
该论文选择<110>取向的单晶GaAs进行了维氏显微压痕实验,就压痕过程中发生的几个关键性课题诸如塑性变形、裂纹尖端结构、相变和再结晶等在不同结构层次上(包括纳米和原子尺度)予于较为深入和系统表征.主要研究结果如下:对压...
李志成
关键词:脆性断裂非晶化晶化电子显微镜
文献传递
脆性材料中的微裂纹尖端结构与断裂被引量:4
2001年
利用低载荷Vickers压痕的方法在GaAs单晶中诱发微裂纹,通过透射电子显微镜和高分辨电子显微镜对裂纹尖端进行了观察.结果表明,裂纹尖端前沿诱发了位错;沿着裂纹扩展方向出现了晶格扭曲,进而产生局部的无序化结构;无序化结构的扩大与连接形成具有1-2nm宽度的非晶窄带.裂纹在非晶窄带中萌生,并沿着非晶带扩展.弯曲的裂纹表面和具有一定宽度的裂纹尖端说明,裂纹的扩展并不是沿着某特定的原子面原子键脱开,而是在非晶窄带中由结合键较弱的原子之间的断键并相互连接的结果.
李志成刘路吴昕贺连龙徐永波
关键词:GAAS单晶电子显微技术
压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构被引量:1
2003年
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。结果表明,在压痕周围除了产生玫瑰型分布的位错组态和二次对称的孪晶结构外,还形成了层错。层错有两种类型:一种由两个具有不同Burgers矢量的不全位错组成,另一种则由具有相同Burgers矢量的不全位错组成。
李井润李志成刘路徐永波
关键词:无机非金属材料砷化镓单晶压痕层错电子显微镜
砷化镓单晶中微晶和非晶的形成机制被引量:1
2002年
利用高分辨电子显微镜对 0.0049 N和 0.049 N载荷 Vickers压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究,结果表明.在大小压痕作用下分别发生了单晶向非晶和微晶的转变, 微晶的结构由小于 10nm、取向各异的纳米晶和非晶组成, 在完全非晶化的结构中存在少量由几个原子组成的原子簇:在非晶与晶体的交界区能观察到许多晶体缺陷以及沿这些缺陷产生的晶格扭曲和非晶相岛, 对这种非晶化现象提出了两种可能的诱发机制:高压力诱导非晶化和剪切诱导非晶化。
李志成刘路贺连龙徐永波
关键词:砷化镓单晶微晶非晶相变半导体
(BaPb)TiO3铁电陶瓷的电疲劳现象
对(BaPb)TiO型PTCR铁电陶瓷的电疲劳现象进行了研究。电性能测试结果表现为:室温电阻随电疲劳周次的增加而增加,电阻变化率随居里点的升高而增大。扫描电子显微镜观察表明:电疲劳后的陶瓷体中产生了沿晶或穿晶的微裂纹;铝...
郑阳李志成刘路徐永波
文献传递
共2页<12>
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