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朱开贵

作品数:32 被引量:38H指数:3
供职机构:北京航空航天大学物理科学与核能工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇环境科学与工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 9篇溅射
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 5篇纳米
  • 5篇衬底
  • 4篇直流磁控
  • 4篇直流磁控溅射
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇W
  • 3篇基片
  • 3篇光谱
  • 3篇合金
  • 3篇靶材
  • 3篇
  • 2篇导电
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇等离子体
  • 2篇电极
  • 2篇镀膜技术
  • 2篇阳极

机构

  • 28篇北京航空航天...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇苏州大学
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇河南师范大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇表面物理与化...
  • 1篇国家纳米科学...

作者

  • 32篇朱开贵
  • 5篇杨海刚
  • 5篇王聪
  • 4篇苟成玲
  • 4篇刘方舒
  • 3篇蔡亚南
  • 3篇王天民
  • 3篇刁训刚
  • 3篇冯红丽
  • 3篇张立德
  • 3篇王怀义
  • 2篇王武
  • 2篇陈芳芳
  • 2篇陈长安
  • 2篇姚伟国
  • 2篇钟汇才
  • 2篇俞坚钢
  • 2篇韩文佳
  • 2篇闫波
  • 2篇陈尔东

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇科学通报
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料保护
  • 1篇材料导报
  • 1篇真空
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 2篇1997
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在铝的阳极氧化过程中氧化铝纳米线的生长
2011年
在两步法制备多孔阳极氧化铝模板过程中,观察到氧化铝纳米线的生长.这种纳米线生长过程不同于通常的化学腐蚀生成过程,电场和应力的共同作用是导致氧化铝纳米线形成的主要原因,同时抛光后铝箔表面的纳米压痕也是导致纳米线形成的重要因素.
朱开贵程竞然常明超王武魏文博葛广路
一种无机全固态电致变色元件及其制备方法
本发明提供一种无机全固态电致变色元件及其制备方法,该元件的结构为:在掺锡氧化铟玻璃基片上依次沉积的氧化钨薄膜、偏硼酸锂和硫酸锂混合物薄膜、镍氧化物薄膜、掺锡氧化铟薄膜;其制备方法的步骤如下:将掺锡氧化铟导电玻璃切割出适合...
王聪杨海刚刁训刚王怀义朱开贵王天民
文献传递
60keV氦离子辐照诱导流变行为导致的钨表面大塑性起泡
我们进行了纯W和W掺杂样品的60KeV氦辐照实验行为研究。实验后通过扫描电镜观察(SEM),X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)进行表征分析,发现纯W和W掺杂样品都发生了很严重的起泡以及剥落现象。起泡深度与氦的注入深...
朱开贵韩文佳俞坚钢
关键词:第一壁表面气泡
Mo覆盖层对MgO/CoFeB/Mo结构磁各向异性的影响
2015年
研究了Mo覆盖层厚度对MgO/CoFeB结构磁各向异性的影响.研究发现,加平行磁场生长出来的MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性,并且随着CoFeB的厚度减小,面内各向异性逐渐减弱;在CoFeB厚度减小到1.1nm时,仍可以保持面内各向异性,垂直方向的外加饱和场逐渐减少;厚度在0.9nm及以下的情况下,面内各向异性消失.改变Mo覆盖层厚度,当tMo=1.6nm时,垂直方向的饱和场最小.当生长过程的磁场变为垂直磁场时,不同厚度的Mo覆盖层对MgO/CoFeB的磁各向异性影响不同.Mo厚度在1nm及以下时MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性,Mo覆盖层厚度在1.2和5nm之间时样品出现了垂直磁各向异性;并且垂直方向的矫顽力也发生了变化,Mo覆盖层厚度为1.4nm时样品的磁滞损耗会大一些.
于涛刘毅朱正勇钟汇才朱开贵苟成玲
关键词:覆盖层垂直磁各向异性
直流磁控溅射技术制备TiNxOy薄膜
2008年
利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了TiNxOy薄膜样品。发现薄膜的颜色、晶体结构、光学性质等都强烈依赖于反应气体的流量。利用光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、UV—Vis分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)等测试手段对样品进行表征。结果表明:随着O2流量的逐步增加,薄膜逐渐呈现非晶态,晶粒逐渐变小。薄膜结构从TiN到TiNxOy再向TiO2过渡。透射光谱显示从TiN的不透明逐渐增加到透明度为80%,且吸收阈发生蓝移。
陈尔东王聪杨海刚朱开贵
关键词:直流磁控溅射吸收光谱微观形貌
一种含铂中间层的锑掺二氧化锡电极的制备方法
本发明公开了一种含铂中间层的锑掺二氧化锡电极的制备方法,涉及到涂层钛电极的制备领域。本发明的特点是先在预处理好的钛基体上镀一层铂中间层,再涂覆锡锑活性层。钛基体的预处理包括打磨、碱洗、酸洗三个步骤,通过磁控溅射等方法在处...
朱开贵邵彩茹
文献传递
一种高稳定性钛基二氧化锡阳极氧化电极的制备方法
本发明公开了一种高稳定性钛基二氧化锡阳极氧化电极的制备方法。将碱洗过的钛基片在盐酸中刻蚀30分钟,得到预处理后的基片。将此基片在置于气氛退火炉中,控制升温温度,升温到一定温度后,在氩氧混合气中保温处理一段时间,自然冷却到...
朱开贵闫波
文献传递
W掺杂Ti-SnO_2电极制备及性能研究
2016年
利用溶胶凝胶-旋涂的方法制备得到3%、6%和9%不同W掺杂量的Ti-SnO_2电极。W掺杂的SnO_2涂层均匀的覆盖在基片上,电极表面无明显的龟裂纹。W掺杂能提高Ti-SnO_2电极的导电性,同时会降低涂层电极的析氧过电位,3%W掺杂的Ti-SnO_2电极的析氧过电位约为2.3V。利用计时电位法测定电极的寿命,3%W掺杂的Ti-SnO_2电极寿命最长,导致W掺杂Ti-SnO_2电极失效的主要原因是致密TiO2层的形成。
闫波陈阿青朱开贵
关键词:DSA
一种制备单根超长Cu纳米线并测量其电学性能的方法
本发明公开了一种制备单根超长Cu纳米线、并在其两端简单有效地制备电极用于测量其电学性能的方法。该方法主要包括以下步骤:(1)单根超长Cu(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>2</Sub>/PVA前驱纳米纤维的制备。...
朱开贵王武
文献传递
磁控溅射钨薄膜在氦辐照下的起泡行为
钨材料具有很高的熔点、较低的溅射阈值、较高的热导率以及不与氢发生反应等优点,被人们视为面对等离子体材料(PFM)最有希望的候选材料之一。人们认为具有纳米结构的材料具有良好的抗辐照效应,因此研究具有纳米结构的钨材料的抗辐照...
俞坚钢韩文佳陈哲朱开贵
关键词:起泡
共4页<1234>
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