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朱广平

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇量子
  • 1篇量子力学
  • 1篇量子力学效应

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇余志平
  • 1篇朱广平
  • 1篇张雪莲
  • 1篇张大伟
  • 1篇田立林
  • 1篇章浩

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型被引量：1
2005年
利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I V模型.通过与 TSMC提供的沟长为 45nm实际器件测试结果[1],以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较,证明了该模型具有良好的精度(平均误差小于8%)和可延伸性.
张大伟章浩朱广平张雪莲田立林余志平
关键词：量子力学效应
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