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易波

作品数：56 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：四川省科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信建筑科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 32篇导通
  • 20篇损耗
  • 18篇导通压降
  • 18篇载流子
  • 18篇二极管
  • 17篇关断
  • 17篇关断损耗
  • 16篇电阻
  • 14篇导通电阻
  • 12篇储层
  • 11篇槽栅
  • 10篇半导体
  • 10篇比导通电阻
  • 9篇肖特基
  • 8篇功率器件
  • 7篇增强型
  • 7篇LIGBT
  • 6篇肖特基二极管
  • 6篇禁带
  • 6篇宽禁带

机构

  • 56篇电子科技大学
  • 1篇成都森未科技...

作者

  • 56篇易波
  • 17篇赵青
  • 8篇李平
  • 6篇陈星弼
  • 5篇黄东
  • 5篇向勇
  • 5篇张千
  • 3篇孔谋夫
  • 1篇杨洪强
  • 1篇赵建明
  • 1篇吴克军

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 10篇2022
  • 9篇2021
  • 14篇2020
  • 11篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于PP异质结的结型栅增强型GaN器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种基于PP异质结的结型栅增强型GaN器件，用于解决现有器件存在的栅压摆幅窄、栅极漏电大、工艺要求高、成本高等诸多问题。本发明利用P型宽禁带半导体层耗尽其下方的高浓度二维电子气，获得...
易波
具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件
本发明公开了一种具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件，通过将P型半导体基区分割成多个区域，并且在不同区域引入两个或三个串联二极管，使得器件在反向耐压时，P型电场屏蔽区电位升高至两个或三个二极管的导通压降后，...
易波蔺佳杨瑞丰彭一峰
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一种具有载流子存储层的平面栅IGBT器件
本发明涉及功率半导体领域，提供一种具有载流子存储层的平面栅IGBT器件，用以解决现有的具有载流子存储层的槽栅IGBT栅驱电荷过大、短路安全工作区较小以及CSL层浓度受限的问题。本发明将传统用于制作槽栅IGBT沟道的深槽与...
易波李平
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一种抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种抑制电压回折现象的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过引入槽型集电极区、P型埋层区，与部分表面耐压区3共同形成RC抑制；使得在低集电极电压时，P型埋层和槽型...
易波蔺佳杨瑞丰赵青
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一种增强型MIS-GaN器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种增强型MIS‑GaN器件，用于解决现有增强型GaN器件存在的如阈值电压低、栅压摆幅窄、栅极漏电大、阈值电压受p‑GaN或p‑AlGa N掺杂浓度影响等诸多问题。本发明利用宽禁带P...
易波
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一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，提供一种基于绝缘体上硅技术的消除电压折回现象的RC‑LIGBT器件，在传统SSA‑LIGBT器件的基础上，在集电极一侧引入一个栅源短接的N沟道MOEFET；当器件工作在正向状态时，将一直工作...
杨瑞丰易波蔺佳赵青黄东孔谋夫
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一种具有载流子存储层的槽栅IGBT器件
本发明涉及功率半导体领域，提供一种具有载流子存储层的槽栅IGBT器件，用以解决现有的具有载流子存储层(CSL)的槽栅IGBT饱和电压高、短路安全工作区较小以及CSL浓度受限的问题，提出一种新型具有载流子存储层的槽栅IGB...
易波李平
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一种具有内嵌肖特基二极管的RC-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种具有内嵌肖特基二极管的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过在集电极一侧引入N型欧姆接触区、浮空电极以及P型肖特基二极管，在反向工作状态下形成由两个串联二极管...
易波赵青蔺佳杨瑞丰侯云如黄东
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一种HEMT器件
本发明公开了一种HEMT器件，通过在源极一侧设置肖特基金属和欧姆接触金属，实现HEMT单元胞集成低导通压降、低泄漏电流的反并联肖特基二极管。本发明通过肖特基金属和半导体接触的位置的特殊设计，保证了器件有源区长度不会增加，...
易波伍争张千向勇
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一种具有自偏置pmos钳位载流子存储层的SOI-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种高压横向半导体器件，具体为一种具有自偏置pmos钳位载流子存储层的SOI‑LIGBT器件。本发明中，通过将P型半导体基区分割成两个或者三个区域，并且在对应区域引入自偏置pmos结构；...
易波蔺佳赵青杨瑞丰
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