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方锋

作品数：6 被引量：25H指数：3
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 6篇单晶
  • 5篇硅单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇半导体
  • 1篇单晶炉
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射光谱
  • 1篇应力
  • 1篇应力分析
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇射线
  • 1篇缩颈
  • 1篇热屏
  • 1篇种鉴别
  • 1篇坩埚
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇抗拉

机构

  • 6篇北京有色金属...
  • 1篇国泰半导体材...

作者

  • 6篇方锋
  • 5篇常青
  • 5篇张果虎
  • 4篇吴志强
  • 3篇周旗钢
  • 3篇秦福
  • 2篇屠海令
  • 2篇郝玉清
  • 1篇万关良
  • 1篇王敬
  • 1篇程景柏

传媒

  • 4篇稀有金属
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
300mm硅单晶的生长技术被引量：18
2001年
讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提 。
张果虎吴志强方锋秦福常青周旗钢屠海令
关键词：硅单晶热屏磁体
Φ125mm硅单晶的控氧技术被引量：1
1997年
Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...
张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福
关键词：坩埚单晶硅单晶炉
Φ200mm硅单晶的生长工艺特点被引量：6
1998年
在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。
张果虎常青方锋吴志强周旗钢
关键词：硅单晶半导体
Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究
1998年
为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。
郝玉清张果虎常青方锋吴志强万关良秦福
关键词：硅单晶
300mm硅单晶的缩颈生长及应力分析被引量：6
2001年
对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察 ,颈部晶体的断裂属于脆性断裂 ,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力 ,从而可以制得更大重量的单晶。缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响。
程景柏屠海令周旗钢王敬常青张果虎方锋
关键词：硅单晶缩颈脆性断裂抗拉强度晶体生长应力分析
一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法
一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法，该方法包括：(1)通过一套X－射线衍射装置，向硅晶样品表面发射X－射线，含有掺杂剂的硅晶样品表面在X－射线的轰击下包含掺杂剂元素在内的金属元素发生衍射光谱；(2)通过检测器接收衍...
方锋郑沉孔祥玉孙燕孙韶辉周旗钢
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