徐建星
- 作品数：27 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重大科学仪器设备开发专项国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划面上项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaAs纳米线量子点单光子发射研究
- 单光子源是量子计算、量子通信、弱信号测试、量子密钥传输等应用的关键器件.以SK(Stranski-Krastanov)模式生长的低密度自组织量子点,具有类二能级体系类原子光谱特性,可在低温下周期性地光泵浦或电注入电子、空...
- 喻颖李密锋查国伟徐建星倪海桥窦秀明孙宝权牛智川
- GaAs/InAs纳米线量子点的单光子发射研究
- 本文描述了基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点的可控分子束外延生长，设计了一种新型分义纳米线腔结构并研究了其单光子发射效应。采用VLS生长机制，在Si基上利用Ga液滴白催化形成的GaAs纳米线，白组织生长的InAs量子点...
- 喻颖牛智川李密锋查国伟王莉娟徐建星尚向军倪海桥
- 关键词：化合物半导体分子束外延生长单光子
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- 室温930nm GaAs基低功耗量子点微柱激光器的制备
- 在高速通信和片上集成方面,低功耗(即低阈值)激光器有着快速响应和降低功耗增加集成度方面有着很好的前景.InAs量子点由于具有合适的波长范围,更强的光子限域效应,得到了广泛的关注.微柱结构,受益于在3维上对光场进行了限制,...
- 徐建星王莉娟倪海桥喻颖查国伟牛智川
- 关键词：半导体激光器量子点
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- 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法
- 本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构...
- 王莉娟喻颖査国伟徐建星倪海桥牛智川
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- GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
- 本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
- 牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
- 关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
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- 一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法
- 本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法，该方法包括：在光电子器件表面预涂一层光刻胶；利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列；在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯；在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内...
- 査国伟牛智川倪海桥李密锋喻颖王莉娟徐建星尚向军贺振宏
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- 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
- 本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有...
- 王莉娟喻颖査国伟徐建星倪海桥牛智川
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- 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法
- 本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的...
- 査国伟李密锋喻颖王莉娟徐建星尚向军倪海桥贺振宏牛智川
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- 自组织单量子点的定位方法及装置
- 本发明公开了一种自组织单量子点的定位装置和方法，其装置包括：激光器，其用于产生激发光，激发量子点样品中的量子点产生荧光光束；紫外光源装置，其用于产生紫外光，对单量子点微区光刻胶曝光；显微物镜，其用于汇聚所述激发光和紫外光...
- 尚向军倪海桥査国伟喻颖李密峰王莉娟徐建星牛智川
- GaAs纳米线中量子环的分子束外延生长与表征
- 近年来,采用分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其纳米光电器件研究成为新型纳米光电器件和量子物理研究领域的热点.其中一个重要的研究方向是把纳米线与三维量子限制结构如量子环[1]、量子点[2]等结合以期待获得新的光电和量子效应.
- 查国伟李密锋喻颖徐建星倪海桥牛智川
