张莉丽
- 作品数：8 被引量：21H指数：3
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 微电子专业“新工科”建设背景下教学改革思考被引量：2
- 2020年
- 随着新一轮科技革命和产业变革的加速进行,工程教育的改革发展势不可挡。加强"新工科"建设,助力经济转型,已成为当前高等教育发展的当务之急,是时代赋予工科教育的神圣使命。作为我国现代战略性新兴产业——集成电路产业的重要支撑点,高等院校传统的微电子科学与工程专业的"新工科"建设与改革已迫在眉睫。笔者从高校微电子专业教学改革出发,寻找融入"新工科"建设的新途径和新方法。
- 田惠莉耿莉谢楠平张莉丽
- 关键词：高等教育微电子专业教学改革
- 非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型被引量：1
- 2006年
- 为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流,首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构,这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质,再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极.通过求解二维电势Poisson方程,建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型.研究表明,该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应,且在沟道长度小于100 nm条件下,阈值电压表现出明显的反短沟道特征,在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高,解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高.
- 李尊朝蒋耀林张莉丽
- 关键词：异质栅阈值电压表面势
- Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量
- 2022年
- 研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO_(2)氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样品进行了固定电荷/可动电荷测试,分析了测试结果与样品设计的关系。同时,进一步研究了:(1)测试条件对实验结果的影响,结果表明100 kHz下的固定电荷/可动电荷测量可行性,为高频C-V测试仪的选择降低了成本;(2)制备工艺对样品性能的影响,为制作适合于不同应用场景的样品提供了参考。该研究建立的测定方法,还适用于微电子专业“MOS结构C-V法测定SiO_(2)中固定电荷及可动电荷密度”实验中的样品测定需求。
- 王旭辉程军杨明超张莉丽雷冰洁耿莉
- 关键词：C-V测试
- CRC查表生成算法汇编的实现及其优化被引量：10
- 2005年
- CRC校验即循环冗余码校验是一种广泛应用于同步通信中的检错编码算法。高速嵌入式AVR单片机以其运算速度快在数据传输方面具有很大的应用优势。基于AVR单片机实现了两种查表法生成CCITT标准的CRC校验码,并进行了优化。实验结果表明两种方法在节约时间和存储空间方面各有不同的特点。
- 张莉丽张振权刘仁
- 关键词：CRC校验码查表法AVR单片机
- 扩散硅压力传感器负热灵敏度漂移补偿方法的研究被引量：4
- 2005年
- 分析恒压源供电和恒流源供电两种情况下扩散硅压力传感器的灵敏度随温度变化的关系式,提出用负阻抗变换器补偿负热灵敏度漂移的方法。模拟结果表明补偿效果非常显著。
- 张莉丽戎华刘仁
- 关键词：压力传感器负阻抗变换器
- 扩散硅压力传感器热灵敏度漂移补偿方法的研究被引量：3
- 2005年
- 分析了恒压源供电和恒流源供电两种情况下扩散硅压力传感器的灵敏度随温度变化的关系式,提出了用软件补偿其热灵敏度漂移的计算方法,并且就恒流源供电且灵敏度温度系数大于零的情况,推出了用并联电阻补偿热灵敏度漂移时,并联电阻阻值的计算公式,模拟结果表明补偿效果非常显著。
- 张莉丽戎华刘仁
- 关键词：扩散硅压力传感器热灵敏度漂移电阻补偿电阻阻值恒压源
- 部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型被引量：1
- 2013年
- 为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型。异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产生电场峰值,降低漏端电场,并屏蔽漏压对最小表面势的影响。通过为沟道耗尽层各区建立柱坐标下电势泊松方程和相应的边界条件方程,采用径向抛物线近似对偏微分方程进行降维和解析求解技术,获得了DMSG结构的解析模型。仿真结果表明,与传统的部分耗尽环栅器件相比,DMSG结构载流子传输效率高,短沟道效应、漏致势垒降低效应和热载流子效应抑制能力强;所建解析模型与数值仿真软件的相对误差小于5%。
- 李尊朝罗诚王闯苗治聪张莉丽
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压
- 垂直硅纳米线工艺研究
- 硅纳米线工艺是制造纳米级围栅MOSFET的关键环节。研究了一种采用自上而下方案制造垂直硅纳米线的工艺技术。利用传统光刻技术，将圆形掩模图案转移到硅片表面;采用注入SF6和C4F8的感应耦合等离子体刻蚀工艺，制作垂直于衬底...
- 李尊朝尤一龙张国和张莉丽崔吾元
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件硅纳米线光刻技术刻蚀工艺
