张秀淼
- 作品数：27 被引量：29H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自然科学总论更多>>
- 阶跃电压法测量产生寿命的简单方法被引量：2
- 1998年
- 采用Ｚｅｒｂｓｔ产生区宽度模型，提出了阶跃电压法中一个计算简单、方便、快捷的确定产生寿命的方法。
- 丁扣宝张秀淼
- 关键词：半导体
- 一种可用于直接计算产生寿命的产生区宽度模型被引量：1
- 1993年
- 本文在分析已有的深耗尽态下半导体表面产生区宽度模型的基础上,提出了一个可用于由MOS结构的电容时间瞬态特性直接计算产生寿命的新模型。该新模型可以看作是Rabbani Rabbani模型的一种简化,但同时又可看作是对Zerbst模型的一个改进。实验数据的分析表明,用该模型得到的产生寿命值与Rabbani模型的结果基本一致。
- 张秀淼丁扣宝
- 关键词：MOS结构半导体材料
- 脉冲MOS电容器中具有场增强特征载流子产生的一种物理解释
- 1993年
- 建立了一种解释脉冲MOS电容器中具有场增强特征的载流子产生的方法.与以往理论不同的是,本文考虑到了来自陷阱中心的载流子非库仑发射的贡献,能更好地解释实验结果。
- 张秀淼
- 关键词：MOS电容
- 产生区宽度模型与产生寿命的确定
- 1993年
- 本文建议子一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。由于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差,因此无论使用Pierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明,对于同一个MOS电容器样品,从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致。
- 张秀淼
- 关键词：MOS电容器半导体
- 阶跃电压法确定产生寿命的计算公式
- 1997年
- 采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间（Ｃ－ｔ）瞬态特性方程。
- 丁扣宝赵荣荣张秀淼
- 关键词：器件物理MOS器件
- 感应反型层太阳电池的开路电压分析
- 1992年
- 本文应用数值计算方法研究了感应反型层太阳电池的开路电压与衬底掺杂水平、介质层固定正电荷密度及表面复合速度等的函数关系。研究结果表明,表面复合对开路电压的影响与衬底的掺杂水平有关,并且随着固定正电荷的增加而减弱.
- 宋加涛张秀淼
- 关键词：半导体太阳电池开路电压
- 长产生寿命的快速测量方法
- 1998年
- 本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂浓度等优点。
- 丁扣宝张秀淼
- 关键词：半导体
- 用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质被引量：1
- 1993年
- 本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及其成键状态,结果表明氮化硅膜中的氢含量是较高的,且氢原子大部分都与氮原子键合,在一定的意义上,可以把此膜看作是硅-氮-氢三元系。
- 张秀淼石国华杨爱龄
- 关键词：氮化硅俄歇电子能谱
- 少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究被引量：2
- 2001年
- 研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。
- 丁扣宝张秀淼宋加涛
- 关键词：少子产生寿命计算机辅助测量半导体材料
- 两次线性电压扫描法测量半导体的产生参数被引量：1
- 1994年
- 采用形式简单但较为精确的Ｐｉｅｒｒｅｔ的产生区宽度模型，分析了线性扫描电压作用下ＭＯＳ电容器的电容一时间（Ｃ—ｔ）瞬态特性。在此基础上，建议了一种通过两次不同电压扫描率的线性电压扫描来测定半导体的体产生寿命和表面产生速度的方法。
- 丁扣宝张秀淼
- 关键词：半导体MOS电容器
