张秀娟
- 作品数：5 被引量：21H指数：3
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系金属材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 多晶体薄膜生长中的织构诱导与控制被引量：3
- 2002年
- 综述了多晶体薄膜材料织构的诱导和控制方法、影响薄膜结晶过程中晶体取向的因素及不同生长条件下形成晶体择优取向的原因。讨论了目前多晶体薄膜织构控制研究中存在的问题和发展方向。
- 刘艳辉张秀娟孟亮
- 关键词：薄膜生长织构晶体生长
- 硫化过程中FeS_2薄膜组织结构和电学性能的变化被引量：2
- 2004年
- 采用Fe膜热硫化法在673K和773K温度下形成了FeS2多晶薄膜.分析了不同硫化时间对晶体结构、化学成分、晶粒大小、电阻率和载流子浓度的影响.673K下硫化超过20h及773K温度下硫化超过1h,Fe膜生成FeS2比较充分.随硫化时间延长,673K下硫化的薄膜晶粒直径基本保持在50nm左右,但电阻率增大,载流子浓度下降.773K下硫化的薄膜晶粒尺寸及电阻率均随硫化时间延长而明显增大,但载流子浓度变化不明显,通常低于1×1025m-3的水平.
- 张秀娟孟亮刘艳辉
- 关键词：电阻率载流子浓度
- 厚度和基底对FeS_2薄膜结构和性能的影响
- FeS_2(pyrite)是一种具有合适禁带宽度(E_g≈0.95eV)和较高光吸收系数(λ≤700nm，α≥5×105cm~(-1))的半导体材料，其组成元素储量丰富无毒，在制备太阳能电池时可以以薄膜形式使用，成本较低...
- 张秀娟
- 关键词：光电性能晶体取向半导体材料薄膜厚度
- 文献传递
- 薄膜生长基底对FeS_2晶体取向的影响被引量：10
- 2004年
- 用Fe膜硫化法制备FeS2薄膜,分析了基底对FeS2薄膜晶体结构和位向分布的影响.结果表明,改变基底晶体的类型能够在一定程度上控制FeS2薄膜的晶体位向分布.FeS2薄膜在Si(100)、Si(111)和Al基底上可获得(200)方向的择优取向,在TiO2基底上可同时获得(200)及(220)择优取向,非晶玻璃基底对位向分布影响不明显.不同的基底与Fe薄膜的界面错配度不同,可改变薄膜晶体位向的分布,导致晶格畸变程度和晶粒尺寸的变化.当基底为非晶结构或界面的错配度较大时,FeS2晶体的取向分布主要受表面能和晶粒优先生长方向的控制,薄膜具有较小的晶格畸变和较细的晶粒;当基底为晶态并且界面错配度较小时,FeS2晶体取向的分布除受表面能及晶粒优先生长方向控制外,还受界面应变能的控制,此时薄膜易形成较大的品格畸变和粗晶粒.
- 刘艳辉孟亮张秀娟
- 关键词：无机非金属材料FES2薄膜晶体取向表面能
- FeS_2薄膜厚度对晶体生长及光吸收特性的作用被引量：5
- 2004年
- 在单晶Si衬底上用磁控溅射Fe膜并硫化的方法 ,制备了不同厚度的FeS2 薄膜 ,测定了晶体结构及光学性能 .结果表明 ,薄膜晶体学位向分布随薄膜厚度的增大可发生一定程度的变化 .随着薄膜厚度增加到 330nm ,晶粒尺寸增加而晶格常数减小 ;但当薄膜厚度大于 330nm时 ,晶粒尺寸下降而晶格常数增大 .光吸收系数以及禁带宽度均随薄膜厚度的增加而下降 .相变应力。
- 张秀娟孟亮刘艳辉
- 关键词：晶体结构光学性能
