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MoO_(3)掺杂有机半导体NPB光电性质研究: 2022年; 在典型有机空穴传输材料胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)中引入过渡金属氧化物MoO_(3)制备了只有空穴传输的单载流子器件.结果表明:MoO_(3)的引入明显提升了NPB的导电性能,在约2.0 V的外加电压下,100 nm厚纯NPB薄膜电流密度仅为1.28 mA/cm^(2),而同样厚度的掺杂薄膜NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)电流密度达到了2530 mA/cm^(2).同样掺杂比例的NPB∶MoO_(3)薄膜吸收谱显示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO_(3)的额外吸收峰,表明体系中产生了电荷转移复合物NPB+-MoO_(3)^(-),从而产生了额外的空穴载流子,进而提升了掺杂体系的导电性能.进一步的荧光分析表明,MoO_(3)的引入对NPB自身荧光具有明显的猝灭作用.NPB∶MoO_(3)(30 wt.%)薄膜的荧光强度比纯NPB薄膜荧光强度降低了2个数量级,NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)掺杂薄膜的荧光强度降低为零.; 赵玉康苏江森吴有智张材荣; 关键词：有机半导体 NPB 电荷转移复合物猝灭

发光层厚度对联苯乙烯衍生物蓝色有机发光器件性能的影响被引量：4: 2012年; 本文制备了联苯乙烯衍生物(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-l,l'-biphenyl,DPVBi)为发光层的蓝色有机电致发光器件.器件性能随发光层厚度变化而变.在DPVBi厚度为10—50 nm范围内,同样电流密度下器件亮度及效率随DPVBi厚度增加先增后减,40 nm时最佳,最高亮度达到15840 cd/m^2,最高外量子效率达到3.2%,器件色坐标(Commission Internationale de l'Eclairage(CIE)co-ordinates)为(0.15,0.15).DPVBi厚度超过40 nm时器件发光光谱出现红移而致色度变差,其原因可归于微腔效应所致.同时,通过实验结果分析表明DPVBi中激子扩散长度位于20—30 nm范围.; 吴有智张文林倪蔚德张材荣张定军; 关键词：发光学有机电致发光发光效率

MoO3为缓冲层的高效非掺杂蓝色有机发光二极管被引量：4: 2011年; 以典型蓝色发光材料-联苯乙烯衍生物(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl,DPVBi)为发光层,采用MoO3为阳极缓冲层制备了结构简单的非掺杂型蓝色有机电致发光器件。在电流密度为20 mA/cm2、MoO3缓冲层厚度为0.5 nm对器件效率约为无缓冲层器件效率的18倍,为通常酞菁铜(Copper phthalocya-nine,CuPc)缓冲层器件效率的1.2倍。器件启亮电压为3.3 V,最高外量子效率为3.1%,最高亮度达到16 000 cd/m2,器件CIE色坐标(Commission Internationale de l'Eclairage co-ordinates)为(0.15,0.15)。器件性能的提升归因于MoO3缓冲层的插入在阳极/有机层间形成了良好的欧姆接触。; 倪蔚德吴有智张文林张材荣张定军; 关键词：有机电致发光 MOO3

(SiC)_n(n=1～5)团簇的结构与性质的密度泛函理论研究: 2013年; 运用密度泛函理论（DFT）的杂化密度泛函B3LYP方法，在6—31G＊基组水平上对（SIC）n（n=1～5）团簇各种可能的构型进行了几何结构优化，预测了各团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的振动特性、成键特性、电荷特性等进行了理论研究．结果表明t（SiC）。团簇形成碳原子骨架，而硅原子生长在碳原子骨架上；在Si和C相互作用形成团簇的过程中，Si原子向C原子有电荷转移，团簇中原子间相互作用呈现共价型；SiC、（SIC）5团簇有相对较高的动力学稳定性；团簇稳定结构的IR最强振动主要是C—Si键的伸缩振动，Raman较强振动均来自C—C键的伸缩振动．; 张梅玲陈玉红李公平张材荣; 关键词：密度泛函理论基态结构结合能

Mg(NH_2)_2与MgH_2放氢反应机理的理论研究被引量：1: 2014年; 采用密度泛函理论B3LYP方法,在6-311+G(d,p)基组水平上研究了Mg(NH2)2与MgH2的放氢反应机理,优化了反应过程中反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型。为了获得更精确的能量信息,用QCISD/6-311+G(d,p)方法计算了各驻点的单点能,并对总能量进行了零点能矫正。频率分析结果和内禀反应坐标(IRC)分析结果证实了中间体和过渡态的正确性,确认了反应过程。结果分析表明,通道第1步氢取代a反应→第2步氢取代f反应→Mg3N2的异构反应的控制步骤活化能最低,是该反应的主要通道。; 陈玉红高合登杨亮张梅玲张材荣康龙罗永春; 关键词：反应机理

Mg_mB_n团簇层状结构的密度泛函理论研究: 2009年; 用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-31G*水平上对Mg2B6、Mg4B10、Mg6B13和Mg8B16团簇的层状结构进行了几何结构优化,并在同一水平上计算了其电子结构、振动特性和成键特性。结果表明:团簇中Mg-B键长在0.225~0.235nm,B-B键长在0.154~0.191nm;Mg原子的自然电荷在+1.24^+1.45e之间,B原子的自然电荷在–0.29~–1.10e之间;Mg4B10团簇有相对较高的动力学稳定性。; 陈玉红康龙罗永春张材荣武志敏; 关键词：密度泛函理论超导电性

碱金属修饰的多孔石墨烯的储氢性能被引量：3: 2020年; 基于第一性原理深入研究了碱金属原子(Li,Na,K)修饰的多孔石墨烯(PG)体系的储氢性能,并且通过从头算分子动力学模拟了温度对Li-PG吸附的H2分子稳定性的影响.研究结果表明,PG结构的碳环中心是碱金属原子最稳定的吸附位置,PG单胞最多可以吸附4个碱金属原子,Li原子被束缚最强,金属原子间无团聚的倾向;H2分子通过极化机制吸附在碱金属修饰的PG结构上,每个金属原子周围最多可以稳定地吸附3个H2分子;Li-PG对H2分子的吸附最强(平均吸附能为-0.246 eV/H2),Na-PG对H2分子的吸附较弱(平均吸附能为-0.129 eV/H2),K-PG对H2分子的吸附最弱(平均吸附能为-0.056 eV/H2),不适合用做储氢材料;在不考虑外界压强且温度为300 K的情况下,Li-PG结构可稳定地吸附9个H2分子,储氢量为9.25 wt.%;在400 K时,有7个吸附H2分子脱离Li-PG的束缚,在600-700 K的范围内,吸附H2分子全部脱离了Li-PG体系的束缚.; 元丽华巩纪军王道斌张材荣张梅玲苏俊燕康龙; 关键词：储氢第一性原理分子动力学

H_2分子在Li_2NH(110)表面吸附的第一性原理研究被引量：4: 2013年; 采用第一性原理方法研究了H2分子在Li2NH(110)晶面的表面吸附。通过研究Li2NH(110)/H2体系的吸附位置、吸附能和电子结构,发现H2分子吸附在Li长桥位时会发生解离,并在Li2NH(110)面形成NH2基,其吸附能为1.178 eV,属于强化学吸附,吸附最稳定。此时,NH2基中的H原子与Li2NH表面的相互作用主要源于H 1s轨道与Li2NH表层N原子的2s,2p轨道重叠杂化的贡献,且N–H键为共价键;另一个H原子与Li2NH表面的相互作用主要是与Li之间的离子键作用;H2分子的解离能垒为1.31 eV,表明在一定热激活条件下H2分子在Li2NH(110)表面发生解离吸附。N顶位吸附时,优化结束后形成NH3,但该吸附方式不稳定,可见Li2NH(110)面与H2反应不易直接生成NH3。; 陈玉红吕晓霞杜瑞董肖张材荣康龙罗永春; 关键词：第一性原理 H2 吸附能解离

ZnSe/ZnS抛物量子阱中激子的极化子效应(英文)被引量：4: 2010年; 采用推广的LLP方法研究了ZnSe/ZnS抛物量子阱中激子的极化子效应。考虑电子和空穴与LO声子的相互作用,得到了激子基态能量和结合能随阱宽的变化关系。结果表明,阱宽较小时,能量随着阱宽的增大而急剧减小;阱宽较大时,能量减小的比较缓慢。和我们以前的工作对比,我们发现ZnSe/ZnS抛物量子阱对激子的束缚强于GaAs/Ga1-xAlxAs抛物量子阱。; 元丽华安张辉张材荣陈玉红王道斌; 关键词：激子极化子抛物量子阱

基于苝的非掺杂荧光白色有机电致发光器件被引量：1: 2021年; 采用两种经典传统荧光材料作为发光层,制备了非掺杂白色有机电致发光器件(WOLEDs).在器件中两层苝(perylene)以薄层的方式分别置于双极性主体材料CBP(4,4’-di(N-carbazole)biphyenyl)两侧作为蓝光发射体,一层超薄的红荧烯(rubrene)插入CBP中作为橙光发射体.通过改变rubrene在CBP中的插入位置获得了高效率白色荧光器件,最高电流效率为6.6 cd/A(外量子效率为2.6%),最高亮度为18480 cd/m^(2),且其中一种器件在200 mA/cm^(2)的高电流密度下,CIE(commission internationale de l’eclairage)色坐标可达理想白光平衡点(0.33,0.33).; 吴有智梁楠赵玉康张材荣; 关键词：荧光有机电致发光器件

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张材荣

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