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张晓敏

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信哲学宗教文化科学更多>>

文献类型

  • 3篇学位论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇文化科学

主题

  • 2篇P型
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇大学新生
  • 1篇电学性能
  • 1篇学业
  • 1篇学业表现
  • 1篇英文
  • 1篇中介
  • 1篇中介作用
  • 1篇生态
  • 1篇生态保护
  • 1篇土地利用
  • 1篇土地利用演变
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇紫外
  • 1篇自补偿
  • 1篇晶格
  • 1篇极化效应
  • 1篇P型GAN
  • 1篇XGA

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇张晓敏
  • 2篇陈伟华
  • 2篇李睿
  • 2篇杨子文
  • 2篇胡晓东
  • 1篇张延召
  • 1篇李丁
  • 1篇杨志坚
  • 1篇张国义
  • 1篇廖辉
  • 1篇王彦杰
  • 1篇于涛

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 3篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
大学新生的反馈寻求与学业表现——角色清晰和学业需求—能力匹配的中介作用
作为影响个体绩效的重要因素,对个体反馈寻求的研究引起越来越多研究者与管理者的重视。本研究以大学新入学的学生为研究样本,考察反馈寻求与大学新生学业成绩的关系,以及角色清晰和学业需求.能力匹配在上述过程中的中介作用机制。23...
张晓敏
关键词:大学新生学业表现中介作用
MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)
2008年
通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω.cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,在受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.
张晓敏王彦杰杨子文廖辉陈伟华李丁李睿杨志坚张国义胡晓东
关键词:P型GAN自补偿MOCVD
近十年大都市边缘区土地利用演变——以北京市丰台区花乡白盆窑村为例
改革开放后经济迅速发展,大都市边缘区作为城市扩张和农村工业化的先锋地带,其土地利用发生着剧烈变化。尤其是近十年来,中国开始进入快速城市化阶段,城市建成区的迅速扩张导致城市边缘区农地大量流失,农地的多种潜在生态服务功能遭受...
张晓敏
关键词:城市建设土地利用生态保护
文献传递
Mg掺杂的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格紫外峰的性质被引量:1
2009年
观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素。实验发现:同一样品在N2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至饱和继而急剧下降,峰位红移;而在相同退火条件下,随着掺杂Mg的流量增加,样品空穴浓度下降,峰强减弱,峰位红移。结果表明:UVL峰是来自于易热分解的浅施主(VNH)与浅受主(MgGa)之间的跃迁,并受到深施主(MgGaVN)与浅受主(MgGa)自补偿效应的影响。实验上随着PL光谱激发强度的增强,UVL峰位约有260meV的蓝移,结合超晶格极化场下的能带模型分析,认为这是极化效应导致的锯齿状能带中,VNH与MgGa之间跃迁方式的改变引起的现象。
于涛李睿杨子文张晓敏张延召陈伟华胡晓东
关键词:超晶格极化效应
P型GaN基材料的电学性能及其欧姆接触的研究
GaN基材料在制备高亮度蓝绿光和白光发光二极管,短波长激光器,紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用。但是由于高空穴浓度,低电阻率的p-GaN材料的获得比较困难,以及在p-GaN材料上较难取得比较低的比接触电阻率...
张晓敏
关键词:GAN基材料电学性能欧姆接触MOCVD生长
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