张昌文
- 作品数：22 被引量：80H指数：8
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- 第一性原理研究In,N共掺杂SnO_2材料的光电性质被引量：9
- 2011年
- 采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)的方法,基于密度泛函理论第一性原理结合广义梯度近似(GGA),运用Wien2k软件计算了In,N两种元素共掺杂SnO2材料的电子态密度和光学性质.研究表明,共掺杂结构在自旋向下和向上两方向上都出现细的局域能级,两者态密度分布不对称;带隙内自旋向下方向上产生局域能级,共掺化合物表现出半金属性;能带结构显示两种共掺杂化合物仍为直接禁带半导体,价带顶随着N浓度的增加发生向低能方向移动,带隙明显增宽;共掺下的介电函数虚部主介电峰只在8.58eV存在,且主峰位置发生右移,峰值强度显著增大;实部谱中,不同N浓度的两种共掺结构其静介电常数也明显增大,N的2p态与In的5s态之间发生强烈的相互作用;共掺下吸收谱中的吸收峰数目减少,吸收光波段范围增宽.
- 逯瑶王培吉张昌文蒋雷张国莲宋朋
- 关键词：态密度光学性质
- 第一性原理计算分析SnO_2电子结构和光学性质被引量：13
- 2009年
- 应用密度泛函理论的第一性原理,采用线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,FP-LAPW)的方法计算SnO2材料的电子态密度,能带图,得出总态密度各部分分别由Sn和O原子的相应分态贡献所得。分析其光学性质,发现反射率和吸收谱等谱线的峰值与介电函数虚部峰值对应,各峰值与电子跃迁吸收有关。从理论上指出其光学性质与电子结构之间的内在关系,并与有关参考文献作比较,为以后SnO2材料的深入研究提供理论依据。
- 于峰王培吉张昌文
- 关键词：态密度光学性质介电函数
- 一种利用机械法合成李萨如图形的演示装置
- 本实用新型提供一种利用机械法合成李萨如图形的演示装置，包括控制电路，其特征是：所述控制电路连接驱动电路，所述驱动电路连接四个驱动电机，每个所述驱动电机都连接一个齿轮，每个所述齿轮的边缘设置有能够旋转的凸起，两个所述凸起之...
- 陈新莲耿庆明张万里焦文慧葛亚宁李承文王培吉张昌文
- 文献传递
- In掺杂ZnO光学性质的第一性原理研究被引量：11
- 2011年
- 采用线性缀加平面波的方法,对In元素掺杂ZnO电子结构和光学性质进行研究。计算结果表明:掺In后价带上部分折叠态增加,禁带宽度变窄。不同量In掺杂ZnO与未掺杂时相比,折射率、反射率及消光系数均有明显变化,介电函数虚部向高能量方向移动,而折射率、反射率、吸收系数、消光系数均向低能量方向移动。从理论上指出了光学性质和电子结构之间的联系。
- 冯现徉王培吉张昌文逯瑶蒋雷张国莲
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质介电函数
- In掺杂ZnO超晶格光学性质的研究被引量：7
- 2012年
- 采用基于第一性原理的线性缀加平面波方法,计算了超晶格ZnO掺In的光学性质.计算结果表明,掺入In元素后Fermi能级进入导带,介电函数、吸收系数、折射率、反射率都在Fermi面附近产生新的跃迁峰.随着掺杂层数的增多,跃迁峰发生红移,当掺杂两层In时跃迁峰峰值最大,同时吸收系数的吸收边随掺杂层数的增多而逐渐减小.与In掺杂ZnO超晶胞相比,ZnO超晶格在可见光范围内具有高透过率的特点.
- 冯现徉逯瑶蒋雷张国莲张昌文王培吉
- 关键词：超晶格态密度光学性质
- Sn_(1-x)N_xO_2材料的电子结构和光学性质
- 2011年
- 采用第一性原理,以W IEN2K软件为平台对Sn1-xNxO2超晶胞体系的态密度(DOS)、能带结构、介电函数和吸收系数进行模拟计算,从理论上指出光学特性与电子结构之间的内在联系。分析结果表明:掺入杂质后体系带隙减小了0.59eV,费米能级向低能方向移动进入价带,并且由半导体变为半金属材料,N的掺入有助于p型SnO2的实现;掺杂前后体系为直接跃迁半导体,其介电函数谱和吸收谱与带隙相对应均发生了红移,并且光学吸收边变宽,增大了光学响应,Sn1-xNxO2材料可广泛应用于红外发光器件。
- 张国莲王培吉张昌文
- 关键词：光电性质第一性原理
- Fe,S共掺杂SnO_2材料第一性原理分析被引量：17
- 2012年
- 本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明:材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄化带隙,且随S浓度增加,态密度向低能方向移动,带隙减小;共掺体系电荷密度重新分布,随S浓度增加,Fe原子极化程度增强,原子间键合能力增强.共掺后介电函数虚部谱与光学吸收谱各峰随S浓度增加而发生红移,光学吸收边减小.
- 逯瑶王培吉张昌文冯现徉蒋雷张国莲
- 关键词：电子结构态密度光学性质
- Sn_(1-x)N_xO_2材料光电性质的研究
- 2011年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,采用广义梯度近似(GGA)下的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,应用WIEN2K软件计算了超晶胞结构Sn1-xNxO2材料的总态密度、能带结构和光学折射率及介电函数虚部。计算结果表明掺杂后费米能级向低能方向移动,随着掺杂量的增加,Sn1-xNxO2材料的价带和导带的分裂程度增强,禁带宽度逐渐减小,并且在1.35～2.50 eV的能量范围上形成了杂质带,其主要来源是N的2p态上的电子。分析Sn1-xNxO2材料的能带结构可知掺杂前后均是直接跃迁半导体,掺杂后其介电函数谱和折射率也与带隙相对应地发生红移,介电谱的跃迁峰与电子从价带到导带的跃迁有关,从理论上指出光学性质与电子结构之间的内在关系。
- 张国莲逯瑶冯现徉张昌文王培吉
- 关键词：光电性质第一性原理
- 铁链间反铁磁二模激发及其平方根代数描述
- 2011年
- 对具有反铁磁相互作用的一维双铁链的非线性激发,采用双子格模型,考虑外加势能的影响,从薛定谔微分方程推导出非线性激发的二模矩阵形式和对应的哈密顿量,并进一步得到系统的二次量子化形式及纯量子哈密顿量在Fock态下的矩阵形式。鉴于此系统含有非厄米项和复共轭项,利用非线性平方根代数对该系统进行重新描述。重新描述的哈密顿量和角动量都出现了非线性平方根代数的生成元。重新描述的系统角动量不再保持封闭性,角动量随时间演化的方程也不再封闭。
- 徐鹏雁杨志安张昌文
- 关键词：反铁磁李代数
- 过渡金属掺杂二氧化锡材料光电性质
- 采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,分别计算了不同浓度Fe、Mn单掺以及Fe、S共掺杂SnO材料(即:SnFeO,SnMnO,Fe-S和Fe-2S)的电子结构和光学性质。结果表明,三种掺杂结构下...
- 逯瑶王培吉张昌文
- 关键词：电子结构态密度介电函数
- 文献传递
