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基于滑模控制的LCL型并网三相逆变器控制方法和系统: 本发明公开一种基于滑模控制的LCL型并网三相逆变器控制方法和系统，方法包括：采样直流侧经LCL滤波器后的注入电网电流以及LCL滤波器的电容电压；将注入电网电流与预设的参考电流做差得到注入电网的电流误差；将所述电流误差输入...; 李先允袁宇唐昕杰张宇王书征; 文献传递

一种基于液压站供源的集中式单车停取系统: 一种基于液压站供源的集中式单车停取系统，包括液压站和多个单车停放装置，所述液压站分别与所述单车停放装置连接，所述单车停放装置包括主液压推杆、锁盘、对锁装置、主液压缸、旋转轴承、副液压缸、液压站连接口、地下支架，本实用新型...; 高佩川金磊张宇王佳昊; 文献传递

一种基于SiC功率器件的EV车载充电器: 本发明公开一种基于SiC功率器件的EV车载充电器，包括主电路和控制电路，主电路包括整流滤波模块和LLC谐振式DC‑DC电路；整流滤波模块采用图腾柱无桥功率因数校正电路结构，直接连接三相交流输入电源；LLC谐振式DC‑DC...; 李先允唐昕杰王书征张宇袁宇; 文献传递

一种FRP管-钢骨架-再生混凝土空心柱: 本实用新型公开了一种FRP管‑钢骨架‑再生混凝土空心柱，包括外层FRP管、内层FRP管和再生混凝土层，所述外层FRP管与内层FRP管为同心结构，二者之间留有一定间距，形成环形空间，所述再生混凝土层由注入所述环形空间的再生...; 徐凯张东良陆志鹏张宇刘昌虎姜志炜李卓吴碧琦马朝政陈云浩; 文献传递

一种可种植物的空心砖: 本实用新型涉及一种空心砖，更具体的是一种可种植物的空心砖。包括砖体（1）、开孔（2）、斜坡（3），其特征在于：所述的砖体（1）前后表面开设有开孔（2），开孔（2）前后表面处向下设置有斜坡（3）。本实用新型结构简单，易于生...; 孙浚博张宇王霞艳刘昌虎; 文献传递

电流纹波法下基于SVPWM调制策略的三电平设计方法: 本发明公开一种电流纹波法下基于SVPWM调制策略的三电平设计方法，包括步骤：采用电流纹波法求出基于不同SVPWM调制策略下，三电平系统的关于调制比和电压相角的电流纹波方程；依据电流纹波方程，根据工作指标选择SVPWM调制...; 李先允袁宇唐昕杰张宇王书征; 文献传递

一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路: 本发明公开了一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，包括驱动回路、负压产生模块和串扰抑制模块；其中，驱动回路包括驱动电阻，负压产生模块由电容与齐纳二极管并联后再与电源模块串联构成，串扰抑制模块包括反并联的三极...; 李珅张宇李先允; 文献传递

一种SiC MOSFET门极辅助电路: 本发明公开一种SiC MOSFET门极辅助电路，其包括栅源回路和旁通支路；所述栅源回路包括于SiC MOSFET的门极与源极之间依次串接的栅极电阻、电压源单元以及串联电阻；所述电压源单元包括反向并接的两直流电压源，各直流...; 李先允张宇王书征袁宇唐昕杰; 文献传递

一种改进SiC MOSFET开关性能的有源驱动电路被引量：10: 2020年; 与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,SiMOSFET)相比,碳化硅(silicon carbide,SiC) MOSFET具有更高的击穿电压,更低的导通电阻,更快的开关速度和更高的工作温度,正被广泛应用于光伏逆变器、电动汽车和风力发电等领域,但是SiC MOSFET的高开关速度会导致器件开关过程中发生电流、电压过冲和振荡,不仅会增加器件的开关损耗,甚至会导致器件损坏。文中首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出器件开关过程中电流、电压过冲和振荡的产生机理,然后根据影响电流、电压过冲和振荡的关键因数,设计一款有源驱动电路。该电路能够在器件开关的特定阶段内同时增加驱动电阻阻值和减小栅极电流,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。实验结果表明,与传统驱动电路相比,所设计的有源驱动电路能够在不同驱动电阻、负载电流和SiC MOSFET条件下,均有效抑制器件的电流、电压过冲和振荡。; 李先允卢乙倪喜军王书征张宇唐昕杰; 关键词：过冲

基于滑模控制的LCL型并网三相逆变器控制方法和系统: 本发明公开一种基于滑模控制的LCL型并网三相逆变器控制方法和系统，方法包括：采样直流侧经LCL滤波器后的注入电网电流以及LCL滤波器的电容电压；将注入电网电流与预设的参考电流做差得到注入电网的电流误差；将所述电流误差输入...; 李先允袁宇唐昕杰张宇王书征

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张宇