您的位置: 专家智库 > >

张培明

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:聊城大学物理科学与信息工程学院更多>>
发文基金:山东省自然科学基金国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇颗粒膜
  • 2篇激光分子束外...
  • 2篇溅射
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇电阻
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿磁电阻
  • 1篇紫光
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋极化
  • 1篇颗粒尺寸
  • 1篇拉曼

机构

  • 5篇聊城大学

作者

  • 5篇张培明
  • 5篇王长征
  • 3篇张栋
  • 3篇肖效光
  • 3篇郑立波
  • 2篇何英
  • 1篇张一清

传媒

  • 2篇广西师范学院...
  • 1篇功能材料
  • 1篇山东师范大学...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响
2009年
采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si(100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365 nm和389 nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365 nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389 nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373 nm的发光峰强度减弱并蓝移到366 nm处,蓝光带强度减弱并红移到430 nm^475 nm处,并且出现了396 nm的近紫峰.
何英王长征张培明张栋
关键词:ZNO薄膜磁控溅射基片温度光致发光
金属-绝缘体颗粒膜隧穿磁电阻效应的修正理论
2007年
基于Inoue模型,提出了一个修正理论来研究金属-绝缘体颗粒膜的隧穿磁电阻效应.假定颗粒膜中铁磁颗粒的尺寸服从对数正态函数,通过两个临界尺寸D1(T)和D2(T)将颗粒膜中的铁磁颗粒分为三类:超顺磁颗粒、单畴铁磁颗粒和多畴颗粒.同时引进一个参数k2来描述超顺磁颗粒与单畴铁磁颗粒对颗粒膜巨磁电阻效应影响的权重,另一个参数k1来描述基体对铁磁颗粒自旋极化率的影响.计算结果表明仅有单畴铁磁颗粒对颗粒膜的隧穿磁电阻效应起主导作用.
张培明郑立波王长征肖效光
关键词:颗粒膜自旋极化
FeCo-Al_2O_3颗粒膜隧穿磁电阻的颗粒尺寸效应
2008年
利用磁控溅射仪制备了一系列的FeCo-Al2O3颗粒膜.分别通过传统的四探针方法和透射电镜(高分辨电镜)研究了FeCo-Al2O3颗粒膜的隧穿磁电阻和纳米颗粒结构.结果表明:当FeCo的体积分数约为32.8%时,FeCo-Al2O3颗粒膜的隧穿磁电阻达到最大值,约为6.9%,该值为目前所报道的在室温和外磁场为12.5KOe下测量得到的最高值.电镜观察表明在FeCo-Al2O3颗粒膜中,bcc结构或非晶态的FeCo颗粒弥散分布在晶态或非晶态的Al2O3基体中.根据电镜观察结果得到颗粒膜的尺寸分布,经过尺寸拟合发现对于FeCo颗粒体积分数较小的颗粒膜,FeCo颗粒的分布满足对数-正态分布函数,而当颗粒膜中的FeCo颗粒体积分数较大时,FeCo颗粒的分布就严重的偏离了对数-正态分布函数.同时,实验结果表明:颗粒膜的隧穿磁电阻随颗粒尺寸呈现出非单调的变化,在一中间尺寸达到最大值.
郑立波张培明王长征肖效光
关键词:磁控溅射颗粒膜隧穿磁电阻颗粒尺寸
LMBE法生长ZnO薄膜的结构和光学性能被引量:2
2008年
利用激光分子束外延方法(LMBE)在单晶Si(100)和玻璃基片上生长了ZnO薄膜。通过XRD谱、拉曼光谱和光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的结构和光学性能。结果表明,ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,(002)衍射峰较强,c轴择优取向良好。在可见光范围,ZnO薄膜的平均透射率>80%,而在紫外范围,平均透射率急剧降低。拟合得到ZnO薄膜的禁带宽度为3.31eV。随激发波长增加,PL谱峰位没有变化,但强度发生了变化。同时,随测量温度升高,紫外发光峰强度减弱,峰位红移,半高宽展宽。理论拟合得到ZnO薄膜的活化能为59meV,接近于ZnO体材料的激子束缚能(60meV),说明紫外发光是由自由激子辐射复合引起的。
张一清王长征张培明郑立波肖效光张栋
关键词:激光分子束外延ZNO薄膜光致发光拉曼光谱
含纳米硅二氧化硅薄膜紫光发射特性
利用激光分子束外延系统在Si(100)衬底上,温度为1000℃,分别在真空、氧压为0.1Pa、1.0Pa和10Pa的条件下制备了含纳米硅二氧化硅薄膜。通过X射线衍射可以发现:在制备的薄膜中含有不同结构的硅晶颗粒。在真空和...
张培明王长征张栋何英
关键词:二氧化硅薄膜光致发光激光分子束外延硅衬底
文献传递
共1页<1>
聚类工具0