张可锋
- 作品数:53 被引量:58H指数:4
- 供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域:电子电信理学轻工技术与工程更多>>
- 利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究
- 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。
本文利用激光诱...
- 张可锋吴小利唐恒敬乔辉贾嘉李雪龚海梅
- 关键词:红外探测焦平面列阵
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- 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器
- 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为:在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区,同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形...
- 李永富龚海梅李雪唐恒敬张可锋李淘宁锦华张燕朱耀明姜佩璐
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- 用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器
- 本实用新型公开了一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器,其结构包括:衬底,此衬底为蓝宝石片;碲镉汞材料,该材料经双面粗、精抛处理后生长阳极氧化层;环氧树脂胶,此胶用作把碲镉汞材料与衬底粘结在一起;ZnS钝化层,该层起...
- 徐鹏霄张可锋李向阳刘新智赵水平朱龙源刘福浩张立瑶
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- LBIC技术研究平面结与台面结InGaAs探测器
- 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs) 焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器的有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流...
- 张可锋吴小利唐恒敬吕衍秋乔辉贾嘉李雪龚海梅
- 关键词:INGAAS探测器
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- InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究
- 2009年
- 采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。
- 宁锦华唐恒敬张可锋李淘李永富李雪龚海梅
- 关键词:感应耦合等离子体INGAASPIN探测器
- 利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料被引量:2
- 2011年
- 窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率,并给出了它们对电导的相对贡献,以及自然氧化对样品中各种载流子的影响.
- 张可锋林铁王妮丽王仍焦翠灵林杏潮张莉萍李向阳
- 关键词:碲镉汞磁输运
- Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能被引量:2
- 2015年
- 采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.
- 王仍焦翠灵徐国庆张莉萍张可锋陆液杜云辰邵秀华林杏潮李向阳
- 关键词:磁输运二次离子质谱
- 正、背照InGaAs探测器的性能对比研究
- 为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂 InGaAs 吸收层 PIN InP/InGaAs/InP 双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面...
- 唐恒敬吕衍秋吴小利张可锋徐勤飞李雪龚海梅
- 关键词:探测器INGAAS探测率钝化
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- 一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器
- 本发明公开了一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器,其结构包括:衬底,此衬底为蓝宝石片;碲镉汞材料,该材料经双面粗、精抛处理后生长阳极氧化层;环氧树脂胶,此胶用作把碲镉汞材料与衬底粘结在一起;ZnS钝化层,该层起钝化...
- 徐鹏霄张可锋李向阳刘新智赵水平朱龙源刘福浩张立瑶
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- 用于碲镉汞气相外延生长的多功能石墨舟
- 本专利公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的多功能石磨舟,该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成,石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内,石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部,对石墨底座进行密封。该石墨舟...
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
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