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常少辉

作品数:10 被引量:13H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 7篇光电
  • 7篇光电导开关
  • 4篇导通
  • 4篇导通电阻
  • 4篇电阻
  • 3篇电极
  • 3篇碳化硅
  • 3篇透明电极
  • 3篇脉冲
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光器
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇光导
  • 3篇光导开关
  • 2篇低导通电阻
  • 2篇电极结构
  • 2篇上升沿
  • 2篇耐压
  • 2篇绝缘衬底

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 10篇常少辉
  • 10篇黄维
  • 5篇施尔畏
  • 4篇陈之战
  • 1篇刘学超
  • 1篇杨建华
  • 1篇周天宇

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇首届全国脉冲...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究被引量:7
2012年
采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601~0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.
常少辉刘学超黄维周天宇杨建华施尔畏
关键词:光导开关
高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法
本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法,包括步骤:提供半绝缘衬底,在其上形成透明电极层;在透明电极层上旋涂光刻胶层,对透明电极层作图形化,在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极;在半绝缘衬底和透明电极上旋...
黄维常少辉刘学超王乐星庄击勇陈辉施尔畏
文献传递
高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法
本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法,包括步骤:提供半绝缘衬底,在其上形成透明电极层;在透明电极层上旋涂光刻胶层,对透明电极层作图形化,在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极;在半绝缘衬底和透明电极上旋...
黄维常少辉刘学超王乐星庄击勇陈辉施尔畏
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一种光控碳化硅光电导开关
本发明涉及一种光控碳化硅(SiC)光电导开关,其包括如下部件:光电导晶片,所述光电导晶片为碳化硅晶片,具有以下抛光良好的晶面:至少一个(1100)m面;至少两个(1120)a面;其中(1100)m面或(1120)a面是与...
黄维常少辉陈之战施尔畏
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正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法
本发明属于半导体器件领域,涉及一种正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法。本发明所述正对电极结构包括半绝缘SiC晶片、空心电极柱、半透明或透明电极层以及实心电极柱。其中,所述半绝缘SiC晶片为经过抛光处理的高纯半...
常少辉黄维刘学超杨建华施尔畏
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11kV大功率SiC光电导开关导通特性被引量:7
2010年
采用高质量半绝缘碳化硅(SiC)单晶材料制作了超快高耐压大功率SiC光电导开关。应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源,得到了脉宽为40 ns,上升沿为9.6 ns的超快响应的电脉冲,开关的上升沿存在两个不同阶段。测试开关两端电压从1 kV到10 kV时开关导通的电压波形表明,开关的导通电阻随电压的增加不发生明显变化,开关在导通态时导通电阻在12Ω左右。采用92Ω精密电阻作为负载,计算得到开关两端外加11 kV电压时通过其电流峰值高达159 A,此时峰值功率达到1.4 MW,在此范围内未出现载流子饱和现象。
黄维常少辉陈之战施尔畏
关键词:碳化硅光电导开关上升沿导通电阻大功率
11 kV大功率SiC光电导开关导通特性
采用高质量半绝缘碳化硅(SiC)单晶材料制作了超快高耐压大功率SiC光电导开关.应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源,得到了脉宽为40 ns,上升沿为9.6 ns 的超快响应的电脉冲,开关的上升沿存在两个不同阶段.测试...
黄维常少辉陈之战施尔畏
关键词:光电导开关上升沿导通电阻脉冲激光器
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一种大功率光电导开关测试装置及其应用
本发明涉及一种大功率光电导开关测试装置及其应用,本发明的测试装置包括:脉冲激光器、光源引入部分、光孔、高压测量主体电路、高压电源、示波器、光电管;脉冲激光器产生的激光脉冲由光源引入部分接收后形成光斑,光源引入部分调整光路...
黄维常少辉陈之战施尔畏
正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法
本发明属于半导体器件领域,涉及一种正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法。本发明所述正对电极结构包括半绝缘SiC晶片、空心电极柱、半透明或透明电极层以及实心电极柱。其中,所述半绝缘SiC晶片为经过抛光处理的高纯半...
常少辉黄维刘学超杨建华施尔畏
文献传递
一种大功率光电导开关测试装置及其应用
本发明涉及一种大功率光电导开关测试装置及其应用,本发明的测试装置包括:脉冲激光器、光源引入部分、光孔、高压测量主体电路、高压电源、示波器、光电管;脉冲激光器产生的激光脉冲由光源引入部分接收后形成光斑,光源引入部分调整光路...
黄维常少辉陈之战施尔畏
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共1页<1>
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